爾必達(dá) 文章進(jìn)入爾必達(dá)技術(shù)社區(qū)

爾必達(dá)計劃在中國大陸和臺灣建廠

　　據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠，以滿足市場需求并減少稅收成本。　　阪本幸雄表示，爾必達(dá)必將進(jìn)軍中國市場，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商合作到大陸建廠，并希望尋求中國政府的支持。爾必達(dá)還將加快其臺灣合資公司瑞晶電子第二家工廠的建設(shè)進(jìn)程。　　阪本幸雄預(yù)計，隨著電腦銷量回升以及新款移動設(shè)備對存儲芯片需求的增加，爾必達(dá)本財年有望實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的利潤和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業(yè)務(wù)投資89億美元，約為爾必達(dá)的10倍。海力士也
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爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒

　　據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。　　爾必達(dá)稱，新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨家設(shè)計工藝以及
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全球最大容量爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。　　爾必達(dá)計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達(dá)2010財年凈利20億日元三年內(nèi)首次盈利

　　據(jù)國外媒體報道，日本最大的計算機內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)周三發(fā)布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內(nèi)存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，爾必達(dá)在過去三年中首次實現(xiàn)盈利。　　內(nèi)存價格的大幅上漲，使得處于長期虧損的內(nèi)存芯片制造商紛紛實現(xiàn)了盈利。爾必達(dá)財報顯示，在截至3月31日的2010財年，爾必達(dá)的凈利潤為20億日元。這一業(yè)績好于2009財年，爾必達(dá)在2009財年的凈虧損為1789億日元。　　根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
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爾必達(dá)狀告英飛凌和百思買，要求禁售有關(guān)產(chǎn)品

　　本月早些時候，日本爾必達(dá)公司向美國佛吉尼亞東區(qū)法庭提交了針對英飛凌公司和百思買公司的訴狀，指這兩家公司違反國際貿(mào)易委員會(ITC)的有關(guān)規(guī)定。爾必達(dá)公司指控這兩家公司生產(chǎn)/銷售/進(jìn)口的產(chǎn)品侵犯了自己有關(guān)移動設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路的幾項專利。　　不僅如此，爾必達(dá)公司還向該法院遞交了另外一份訴狀，訴狀指英飛凌公司生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品觸犯了爾必達(dá)公司幾項與汽車電子設(shè)備有關(guān)的專利。　　為此，爾必達(dá)公司在訴狀中請求美國法院禁止這兩家公司生產(chǎn)/銷售的有關(guān)產(chǎn)品在美國地區(qū)進(jìn)口/銷售，并要求對已售出的有關(guān)產(chǎn)品對爾必
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專利戰(zhàn)升級爾必達(dá)反告英飛凌芯片侵權(quán)

　　爾必達(dá)近日向美國法院對英飛凌提起兩項專利侵權(quán)訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達(dá)對英飛凌起訴的反擊，雙方的半導(dǎo)體芯片大戰(zhàn)開始升級。　　訴訟之一，爾必達(dá)稱英飛凌侵犯了其三項與手機有關(guān)的微控制器美國專利，這其中就涉及英飛凌為蘋果iPhone生產(chǎn)的微控制器。第二項訴訟是英飛凌侵犯用于汽車組件的微控制器專利。　　爾必達(dá)在手機微控制器侵權(quán)聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達(dá)的專利授權(quán)，在不顧爾必達(dá)專利的情況下繼續(xù)出售微控制器。　　該手機微控制器訴訟中還提到了百思買，原因則是后者銷售使用侵犯爾必達(dá)專利微控制器的手
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華邦為爾必達(dá)代工的GDDR顯存產(chǎn)能明顯低于預(yù)期

　　據(jù)業(yè)者透露，臺灣華邦公司最近已經(jīng)開始為爾必達(dá)內(nèi)存公司代工GDDR顯存芯片產(chǎn)品，其月產(chǎn)能為5000片晶圓。不過，由于華邦認(rèn)為NOR閃存毛利更高，因此其保留了部分產(chǎn)能用來制作NOR閃存，這便導(dǎo)致目前華邦公司的GDDR芯片產(chǎn)能僅能滿足爾必達(dá)一半的需求。　　據(jù)業(yè)者分析，由于爾必達(dá)公司顯存業(yè)務(wù)量的激增，爾必達(dá)目前對華邦GDDR芯片的產(chǎn)能需求在每月1萬片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價風(fēng)聲所吸引，增大了NOR閃存的產(chǎn)能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產(chǎn)能。　　華邦計劃到下半年將其NOR閃存芯片的
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爾必達(dá)計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。　　爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
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日本爾必達(dá)計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

　　日本爾必達(dá)周四稱，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。　　爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規(guī)模進(jìn)行評論。　　日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)稱，爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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爾必達(dá)擬投資400億日圓提高瑞晶產(chǎn)能

　　日本經(jīng)濟新聞報導(dǎo)，日廠爾必達(dá)(Elpida)與臺廠力晶合資成立的瑞晶，計劃在2010年度內(nèi)將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。　　日經(jīng)報導(dǎo)，雙方將投資約400億日圓(約4.3億美元)將瑞晶產(chǎn)線全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程，以提高生產(chǎn)效率。　　另一方面，爾必達(dá)亦計劃對該公司生產(chǎn)主力的廣島廠加碼投資600億日圓進(jìn)行增產(chǎn)，估計含瑞晶在內(nèi)，總產(chǎn)能將擴增為1.6倍，可望追上三星電子(Samsung Electronics)。　　報導(dǎo)指出，瑞晶目前月產(chǎn)能為7.5萬片(以12寸晶圓計)，目前采用的是65奈米制程技術(shù)
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爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)

　　爾必達(dá)公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達(dá)公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術(shù)的開發(fā)工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 　　比較現(xiàn)有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時的良率可達(dá)100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達(dá)到1
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爾必達(dá)開發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　爾必達(dá)公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術(shù)制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當(dāng)應(yīng)用在300mm尺寸晶圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設(shè)備上的費用投資。　　這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的
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爾必達(dá)內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利

　　12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結(jié)束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。　　爾必達(dá)內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財年結(jié)束時首次實現(xiàn)年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
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爾必達(dá)與臺灣茂德簽DRAM代工預(yù)計明年量產(chǎn)

　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達(dá)與臺灣茂德、華邦結(jié)盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達(dá)社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達(dá)會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。　　茂德董事長陳民良透露，將引進(jìn)新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團(tuán)，但堅決不透露是誰中選。　　業(yè)內(nèi)揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結(jié)盟的爾必達(dá)，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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臺“經(jīng)濟部”主導(dǎo)的TIMC成立計劃走向窮途末路

　　臺“立法院經(jīng)濟委員會”本月26日一致投票通過反對臺經(jīng)濟部一項要求政府向臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺灣當(dāng)局主導(dǎo)的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。　　與此形成鮮明對比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟部的說法，稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機存取內(nèi)存技術(shù)(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項目總預(yù)算的一半。　　此前三星與海力士公司
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爾必達(dá)介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達(dá)是日本最主要的DRAM半導(dǎo)體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內(nèi)存條.Elpida在歐美市場以提供高品質(zhì)的DRAM類產(chǎn)品而著稱,但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業(yè)者帶來潛在的商機. [ 查看詳細(xì) ]

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