爾必達(dá) 文章進(jìn)入爾必達(dá)技術(shù)社區(qū)

異業(yè)結(jié)盟潮起次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。　
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坂本幸雄踩剎車　瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計劃喊停

　　個人計算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價格重挫，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo)，同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴(kuò)產(chǎn)，屆時將依照投資比重來分配DRAM貨源，但傳出DRAM價格崩盤后，PC客戶早已溜之大吉，瑞晶的擴(kuò)產(chǎn)計劃只好喊卡，然爾必達(dá)廣島廠的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度仍將如期進(jìn)行。　　坂本幸雄表示，PC市場在傳統(tǒng)旺季的需求未如預(yù)期，將連累爾必達(dá)的財報獲利受到影響，但DRAM價格其實下修幅度已大
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爾必達(dá)將發(fā)行7.3億美元可轉(zhuǎn)債

　　據(jù)國外媒體報道，爾必達(dá)計劃面向本地的私人投資者發(fā)行6000億日元(約合7.28億美元)可轉(zhuǎn)債。　　根據(jù)爾必達(dá)周五發(fā)布的公告，這一可轉(zhuǎn)債為5年期，利率0.5%?；I集的資金將用于償還債務(wù)，以及升級半導(dǎo)體制造設(shè)備。爾必達(dá)是全球第三大計算機(jī)存儲芯片廠商，該公司在追趕業(yè)界領(lǐng)頭羊三星電子的過程中正面臨壓力。后者目前每年支出100億美元來提升芯片產(chǎn)能。　　周五，爾必達(dá)在東京股票交易所的股價上漲5.2%。不過在當(dāng)天早盤的交易中，爾必達(dá)股價曾一度大跌5.6%。東京新生證券高級分析師松元泰裕指出，這一股價反轉(zhuǎn)是由
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爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非常快，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進(jìn)步。　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。　　據(jù)了解，爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機(jī)電流下降10%。　　爾必達(dá)聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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爾必達(dá)擬購買力晶和茂德股份對抗三星

　　爾必達(dá)正在考慮收購力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份，以抵御三星的競爭，并有望引發(fā)全球半導(dǎo)體行業(yè)近十多年來最大規(guī)模的重組。　　行業(yè)整合　　爾必達(dá)總裁阪本幸雄在本周接受媒體采訪時表示，力晶、茂德以及華邦(Winbond)三家中國臺灣的半導(dǎo)體公司都是可能的股權(quán)收購目標(biāo)。他表示，爾必達(dá)希望獲得這些企業(yè)20%至30%的股份，而且這些交易都有可能會引發(fā)收購，盡管談判尚未開始。　　阪本幸雄說：“這些臺灣廠商幾乎不可能依靠自己的力量生存。如果不采取一些措施，我們也很難生存。
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爾必達(dá)CEO稱公司盈利難達(dá)預(yù)期

　　據(jù)國外媒體報道，全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達(dá)CEO阪本幸雄周一表示，由于PC需求放緩導(dǎo)致芯片價格下滑，該公司很可能無法達(dá)到此前的盈利預(yù)期。　　阪本幸雄在周一接受媒體采訪時表示，截至明年3月的財年內(nèi)，爾必達(dá)營業(yè)利潤將在1000億日元(約合12億美元)至1200億日元之間，銷售額預(yù)計為6000億日元至6500億日元。阪本幸雄此前預(yù)計，爾必達(dá)本財年實現(xiàn)營業(yè)利潤1600億日元，實現(xiàn)銷售額7000億日元。　　阪本幸雄表示，由于增速慢于預(yù)期，爾必達(dá)將推遲提升中國臺灣產(chǎn)能的計劃。過去一個月間，由于擔(dān)心
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爾必達(dá)12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)

　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報道，爾必達(dá)計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。　　報道稱呢個，爾必達(dá)已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來達(dá)成更精細(xì)制程，而無需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。　　爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場
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爾必達(dá)造平板電腦適用的全球最小LPDDR2顆粒

　　爾必達(dá)公司今天宣布，他們已經(jīng)開發(fā)出了一款新品2Gb容量DDR2移動存儲芯片，號稱全球最小的LPDDR2顆粒，F(xiàn)BGA封裝后封裝尺寸僅有10x11.5mm。　　該內(nèi)存顆粒主要面向智能手機(jī)和平板機(jī)市場，運(yùn)行在1.2V低壓下，可實現(xiàn)1066Mbps的高數(shù)據(jù)傳輸率，64bit配置上每秒可傳輸8.5GB數(shù)據(jù)。由于使用了40nm工藝制造，該顆粒的功耗比上代50nm產(chǎn)品低30%。　　爾必達(dá)計劃以多種形式出貨該內(nèi)存顆粒，包括用于堆疊封裝的裸片，以及PoP或FBGA封裝后出貨。　　爾必達(dá)稱，目前其廣島工廠的
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面向移動設(shè)備:爾必達(dá)宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片開發(fā)完成

　　日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)公司最近宣稱公司已經(jīng)開發(fā)出了世界尺寸最小的LPDDR2內(nèi)存芯片，這種芯片的容量密度達(dá)2Gb，采用40nm制程技術(shù)制作，芯片的型號為ECB240ABBCN，芯片數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織認(rèn)可的低功耗DDR2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，支持這種標(biāo)準(zhǔn)的芯片產(chǎn)品專門面向智能手機(jī)，平板電腦等移動設(shè)備。　　爾必達(dá)稱該內(nèi)存芯片產(chǎn)品將于今年8月份開始量產(chǎn)，產(chǎn)品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
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爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶營銷。　　路透(Reut
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爾必達(dá)計劃削減債務(wù)并收購資產(chǎn)

　　由于電腦行業(yè)復(fù)蘇推動全球第三大電腦存儲芯片制造商爾必達(dá)扭虧為盈，因此該公司計劃削減債務(wù)，并購買資產(chǎn)。　　負(fù)責(zé)管理財務(wù)和會計事務(wù)的爾必達(dá)高管Takehiro Fukuda說：“我們將尋求包括并購和合作在內(nèi)的各種機(jī)會。”他表示，爾必達(dá)將進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)范圍，包括智能手機(jī)和電視芯片。除此之外，還準(zhǔn)備年底將權(quán)益負(fù)債率(debt-to-equity ratio)從1.3降低到1，并最終降到0.3。　　在芯片價格大幅下滑導(dǎo)致爾必達(dá)2008年出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的虧損后，該公司從日本開發(fā)銀行獲得
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爾必達(dá)宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開發(fā)完成

　　日本爾必達(dá)公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達(dá)設(shè)在德國慕尼黑的設(shè)計中心開發(fā)完成的。爾必達(dá)表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預(yù)計會定在今年7-9月份的時間段。　　據(jù)爾必達(dá)表示，其設(shè)在廣島的芯片廠將負(fù)責(zé)這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達(dá)還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。　　GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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爾必達(dá)欲聯(lián)合臺系內(nèi)存廠商在大陸興建芯片廠

　　據(jù)臺灣媒體援引爾必達(dá)公司CEO Yukio Sakamoto的說法報道，日本內(nèi)存廠商爾必達(dá)計劃聯(lián)合臺系內(nèi)存廠商在大陸興建芯片廠，據(jù)稱該芯片廠將于2012年建成投入使用。　　據(jù)悉該芯片廠將負(fù)責(zé)生產(chǎn)大陸消費者所需要的芯片產(chǎn)品，該媒體還報道稱爾必達(dá)很可能會尋求大陸政府對該項目的資金援助。　　據(jù)分析，臺灣茂德公司是爾必達(dá)該項目最有可能的合作伙伴之一，而力晶半導(dǎo)體的可能性則位居第二。該報道還稱這間合資芯片廠可能會是一間基于200mm晶圓技術(shù)的工廠，將專門負(fù)責(zé)生產(chǎn)非標(biāo)存儲芯片產(chǎn)品。　　早在2008年8
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探討爾必達(dá)存儲器項目的可行性

　　日前傳聞爾必達(dá)可能牽手臺灣茂德來中國建存儲器廠，引起業(yè)界興趣。如今不管項目成與否?作些準(zhǔn)備還是十分有必要的。　　爾必迖在中國建廠的目的　　爾必達(dá)社長坂本幸雄是個有野心之人，誓言要與三星爭個高低，作全球存儲器第一。之前他的努力欲聯(lián)合臺灣地區(qū)的存儲器業(yè)，結(jié)果由于美光的插足等原因，使其目的僅達(dá)成一半。如今又想到中國，因此它的目的非常清楚，要擴(kuò)大產(chǎn)能，缺資金是首位，所以要中國政府來投資;另一方面是希望獲得優(yōu)惠政策，加上利用中國的市場及人力等來降低生產(chǎn)制造成本。　　中方的策略　　中國方面要考慮些
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爾必達(dá)介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達(dá)是日本最主要的DRAM半導(dǎo)體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內(nèi)存條.Elpida在歐美市場以提供高品質(zhì)的DRAM類產(chǎn)品而著稱,但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業(yè)者帶來潛在的商機(jī). [ 查看詳細(xì) ]

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