工藝制程 文章 進入工藝制程技術(shù)社區(qū)
國產(chǎn)晶圓代工新突破:晶合集成 28nm 邏輯芯片通過驗證,為順利量產(chǎn)鋪路
- IT之家 10 月 10 日消息,合肥晶合集成電路股份有限公司(簡稱“晶合集成”)10 月 9 日發(fā)布公告,晶合集成在新工藝研發(fā)上取得重要進展。剛剛過去的 2024 年第三季度,晶合集成通過 28 納米邏輯芯片功能性驗證,成功點亮 TV。既為晶合集成后續(xù) 28 納米芯片順利量產(chǎn)鋪平了道路,也加速了 28 納米制程技術(shù)商業(yè)化的步伐。在 28 納米邏輯芯片功能性驗證中,晶合集成與戰(zhàn)略客戶緊密合作開發(fā),將芯片中數(shù)字模塊和模擬模塊進行同步功能驗證,確保該工藝平臺的性能和穩(wěn)定性。晶合集成 28 納米邏輯平
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0.75 NA 突破芯片設(shè)計極限!Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖:2030 年推出,每小時產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息,全球研發(fā)機構(gòu) imec 表示阿斯麥(ASML)計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機,目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克(Martin van den Brink)于今年 5 月,在比利時安特衛(wèi)普(Antwerp)召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中,表示:“從長遠來看,我們需要改進光刻系統(tǒng),因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時,我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”
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三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息,三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布,其首個采用 BSPDN(背面供電網(wǎng)絡(luò))的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面,與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑,大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關(guān)鍵技術(shù):英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia;臺積電則稱搭載其 Super
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半導(dǎo)體研究公司SRC宣布2024年研究招標(biāo),提供1380萬美元的資金機會
- 半導(dǎo)體研究公司(SRC),作為一個一流的研究和人才培養(yǎng)聯(lián)盟,宣布了1380萬美元的資金機會。研究招標(biāo)將于4月初開始,并持續(xù)至6月。釋放招標(biāo)的研究項目包括納米制造材料與工藝(4月10日);封裝+異質(zhì)集成封裝研究中心(4月10日);硬件安全(5月7日);計算機輔助設(shè)計與測試(5月7日);以及環(huán)境、安全和健康(5月7日)。有關(guān)詳細信息和提交信息將于2024年4月10日起在https://src.secure-platform.com/a/page/GetFunded 上提供。我們致力于通過培養(yǎng)本科生、碩士生和博
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大基金二期入股華力微電子
- 大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息,據(jù)天眼查APP顯示,近日,上海華力微電子有限公司發(fā)生工商變更:新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司為股東,公司注冊資本由約220.7億人民幣增資至約284億人民幣,增幅約28.68%。公開資料顯示,上海華力微電子有限公司成立于2010年1月,擁有先進的工藝制程和完備的解決方案,專注于為設(shè)計公司、IDM公司及其他系統(tǒng)公司提供65/55納米至28/22納米不同技術(shù)節(jié)點的一站式芯片制造技術(shù)服務(wù)。12月1日,華虹半導(dǎo)體發(fā)布公告稱,全資子公司華虹宏力與華力微電子簽訂《技術(shù)開發(fā)協(xié)議》。華力
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臺積電5nm制程蓄勢待發(fā) 三星恐望塵莫及
- 4月4日消息,臺積電宣布在開放創(chuàng)新平臺之下推出5nm設(shè)計架構(gòu)的完整版本,協(xié)助客戶實現(xiàn)支持下一代高效能運算應(yīng)用產(chǎn)品的5nm系統(tǒng)單芯片設(shè)計,目標(biāo)鎖定擁有廣闊發(fā)展前景的5G與人工智能(AI)市場。目前全球7nm以下先進制程賽場只剩下臺積電、三星以及英特爾三個選手。其中臺積電搶先進入7nm制程,且支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7nm加強版(7nm+)制程已經(jīng)按原計劃于3月底量產(chǎn),全程采用EUV技術(shù)的5nm制程已經(jīng)進入試產(chǎn),臺積電制程技術(shù)已經(jīng)與英特爾平起平坐,并把三星甩在身后,后者預(yù)計2020年才會進入7nm E
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工藝制程介紹
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