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三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光

三星為了與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)大絕盡出，根據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱(chēng)「晶背供電」）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。三星代工制程設(shè)計(jì)套件（PDK）開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時(shí)采用BSPDN技術(shù)。BSPDN被稱(chēng)為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進(jìn)而排除電與
關(guān)鍵字：三星 BSPDN 臺(tái)積電

7 月 4 日消息，根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、有效，但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)？由于晶體管越來(lái)越小，密度越來(lái)越高，堆疊層數(shù)也越來(lái)越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，需要穿過(guò) 10-20 層堆棧，大大提高了線(xiàn)路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí)，避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號(hào)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電背面供電技術(shù) BSPDN

埃米時(shí)代來(lái)臨，背面電軌（BSPDN）成為先進(jìn)制程最佳解決方案，包括臺(tái)積電、英特爾、imec（比利時(shí)微電子研究中心）提出不同解方，鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測(cè)（ALD）及再生晶圓三大制程重點(diǎn)，相關(guān)供應(yīng)鏈包括中砂、天虹及升陽(yáng)半導(dǎo)體等受惠。背面電軌（BSPDN）被半導(dǎo)體業(yè)者喻為臺(tái)積電最強(qiáng)黑科技，成為跨入埃米時(shí)代最佳解決方案，預(yù)估2026年啟用。目前全球有三種解決方案，分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺(tái)積電的Super Power Rail。代工大廠皆開(kāi)始透過(guò)設(shè)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電背面電軌 BSPDN

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號(hào)電路分離。此舉可簡(jiǎn)化供電路徑，大幅降低供電電路對(duì)互聯(lián)信號(hào)電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開(kāi)始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺(tái)積電則稱(chēng)搭載其 Super
關(guān)鍵字：三星工藝制程 BSPDN

IT之家 2 月 28 日消息，據(jù)韓媒 Chosunbiz 報(bào)道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測(cè)試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線(xiàn)路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線(xiàn)路層越來(lái)越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。對(duì)于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化?！?n
關(guān)鍵字：三星 BSPDN 芯片測(cè)試

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