首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 強(qiáng)化版n5p

新思科技和臺(tái)積合作在其5納米 FinFET 強(qiáng)化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

  • 臺(tái)積公司5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺(tái)積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)器、邏輯庫(kù)和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。STAR Memory System?采用針對(duì)5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測(cè)試、修復(fù)和診斷嵌入式存儲(chǔ)器新思科技（Synopsys, In
  • 關(guān)鍵字： 新思  臺(tái)積合   FinFET 強(qiáng)化版N5P  
共1條 1/1 1

強(qiáng)化版n5p介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條強(qiáng)化版n5p!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)強(qiáng)化版n5p的理解，并與今后在此搜索強(qiáng)化版n5p的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473