新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI

臺積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。

STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與臺積公司(TSMC)達成合作，在其5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發(fā)一系列廣泛的DesignWare?接口IP核、邏輯庫、嵌入式存儲器和一次性可編程非易失性存儲器(NVM)IP核。依托臺積公司5奈米（N5）制程開發(fā)的DesignWare IP核解決方案，設計人員能夠在移動和云計算設計方面實現(xiàn)性能、密度和功耗目標。此次合作進一步強化了兩家公司長期合作關系，為設計人員提供降低風險、實現(xiàn)芯片差異化和加快產(chǎn)品上市所需的高質(zhì)量IP核。

臺積公司設計基礎架構管理部高級總監(jiān)Suk Lee 表示：“近20年來，臺積公司一直與新思科技緊密合作，在最先進的工藝上提供經(jīng)驗證的廣泛DesignWare IP核，幫助共同客戶加快推出產(chǎn)品。我們對此次合作成果感到非常滿意，它令設計人員能夠加快其先進的移動和云計算芯片項目的進度，同時獲得臺積公司最新業(yè)界領先制程技術所帶來的全面性能和功耗優(yōu)勢，?！?/p>

新思科技解決方案事業(yè)部營銷副總裁John Koeter 表示：“作為接口IP核的領先供應商，新思科技持續(xù)在最新工藝技術開發(fā)高質(zhì)量IP核方面進行重大投資，讓設計人員能夠獲得性能、功耗和面積優(yōu)勢，實現(xiàn)芯片差異化。我們與臺積公司合作利用N5P制程開發(fā)新思科技DesignWare IP核，幫助設計人員實現(xiàn)其積極的設計目標并加快項目進度?！?/p>