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低能電子對單面介質(zhì)加載微波部件微放電的影響*

  • 在微波設備微放電效應的研究中,低能電子的作用通常被忽略。本文重點研究了低能電子對單面介質(zhì)加載微波部件微放電的影響,基于蒙特卡洛算法,建立了單面介質(zhì)加載微波部件的微放電的模型,模擬了單面介質(zhì)加載微波部件微放電的規(guī)律,利用數(shù)值的方法對波導中靜電場進行求解并對電子的軌跡進行跟蹤。通過對比經(jīng)典的Vaughan二次電子發(fā)射模型(考慮低能電子)和Rice模型(沒有考慮低能電子)的模擬結(jié)果,獲得了低能電子對單面介質(zhì)加載微波部件微放電的影響。
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微放電檢測方法的總結(jié)與分析

  •   微放電是在真空條件下,發(fā)生在微波器件內(nèi)部的射頻擊穿現(xiàn)象。近年來,隨著空間技術(shù)的發(fā)展,微波部件工作的功率越來越大,使得空間發(fā)生微放電的可能性 大大增加。工作在大功率狀態(tài)下的微波器件,當功率、射頻和器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)尺寸滿足一定關(guān)系時發(fā)生微放電效應,這種現(xiàn)象的產(chǎn)生又取決于真空壓力、加工工藝、表 面處理、材料、污染等因素。微放電一旦產(chǎn)生將造成嚴重后果,導致微波傳輸系統(tǒng)駐波比增大,反射功率增加,噪聲電平抬高,致使系統(tǒng)不能正常工作。高電平微放 電可以引起擊穿,射頻功率全反射,部件永久性破壞,通信信道喪失工作能力?;?/li>
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微放電介紹

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