微放電 文章 進入微放電技術(shù)社區(qū)
微放電檢測方法的總結(jié)與分析
- 微放電是在真空條件下,發(fā)生在微波器件內(nèi)部的射頻擊穿現(xiàn)象。近年來,隨著空間技術(shù)的發(fā)展,微波部件工作的功率越來越大,使得空間發(fā)生微放電的可能性 大大增加。工作在大功率狀態(tài)下的微波器件,當功率、射頻和器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)尺寸滿足一定關(guān)系時發(fā)生微放電效應,這種現(xiàn)象的產(chǎn)生又取決于真空壓力、加工工藝、表 面處理、材料、污染等因素。微放電一旦產(chǎn)生將造成嚴重后果,導致微波傳輸系統(tǒng)駐波比增大,反射功率增加,噪聲電平抬高,致使系統(tǒng)不能正常工作。高電平微放 電可以引起擊穿,射頻功率全反射,部件永久性破壞,通信信道喪失工作能力?;?/li>
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微放電介紹
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