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習(xí)近平考察武漢新芯：重大核心技術(shù)必須靠自己攻堅克難
- 習(xí)近平考察武漢，強(qiáng)調(diào)要充分發(fā)揮人才優(yōu)勢
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大陸五大半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 半導(dǎo)體設(shè)備采購金額年增68%
- SEMICONTaiwan2016將于7日開幕，受惠臺積電持續(xù)投資先進(jìn)制程，臺灣仍是蟬聯(lián)全球設(shè)備采購第一名，值得注意的是，大陸2016年大陸采購金額達(dá)44.38億美元，年增率高達(dá)68%，推測受惠聯(lián)電廈門廠、中芯國際北京廠、英特爾(Intel)大連廠、三星西安廠、武漢新芯五大半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn)所致。 根據(jù)SEMI估計，全球半導(dǎo)體設(shè)備采購金額約219.96億美元，年減2%，其中臺灣2016年的設(shè)備采購金額高達(dá)55.42億美元，年增率3.9%，主要是臺積電領(lǐng)先布局先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。值得注意的是，大陸2016年
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武漢新芯將并入紫光集團(tuán)旗下，掌權(quán)之爭由趙偉國出線
- 先前科技新報獨(dú)家揭露，統(tǒng)籌中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進(jìn)展，根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 說法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來武漢新芯將并入旗下，據(jù)科技新報取得的消息，最終由紫光集團(tuán)董事長趙偉國將出線掌舵新事業(yè)。 朝 NAND Flash 發(fā)展前進(jìn) 調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出，紫光集團(tuán)預(yù)計于武漢成立長江存儲科技
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紫光大陸兩大國家隊合體并武漢新芯進(jìn)軍NAND Flash
- 外媒報導(dǎo)，中國IC設(shè)計龍頭紫光集團(tuán)已完成武漢新芯集成電路制造有限公司(武漢新芯)超過50%的股權(quán)收購。這意味著，中國半導(dǎo)體的兩大「國家隊」聯(lián)手進(jìn)軍NAND Flash記憶體領(lǐng)域的計畫即將實現(xiàn)，紫光集團(tuán)董事長趙偉國也將擔(dān)任合并后公司的總裁。 報導(dǎo)稱，紫光日前投資120多億美元興建1家新的記憶體晶片廠，以及進(jìn)行半導(dǎo)體業(yè)務(wù)并購，不過紫光在海外的并購屢踢鐵板。本月初，有消息傳出，紫光將聯(lián)手武漢新芯大舉進(jìn)軍NAND Flash記憶體領(lǐng)域，且可能獲得大廠美光(Micron)的技術(shù)授權(quán)，采取「華亞科」模式，可
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外媒：紫光集團(tuán)收購武漢新芯多數(shù)股權(quán)
- 北京時間7月26日晚間消息，《華爾街日報》今日援引知情人士的消息稱，中國建造先進(jìn)存儲芯片工廠的兩大主要項目已進(jìn)行了合并。此舉旨在打造實力更強(qiáng)的大型企業(yè)，從而縮小與西方國家之間的技術(shù)差距。 據(jù)四位知情人士稱，紫光集團(tuán)(Tsinghua Unigroup)已收購武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC，以下簡稱“武漢新芯”)多數(shù)股權(quán)。之前，武漢新芯曾打造規(guī)模為240億美元的存儲芯片制造中心。 今年3月28日，總投資240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地項目在武漢東
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紫光攜手武漢新芯 中國存儲器能否復(fù)制面板產(chǎn)業(yè)的成功？
- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手，并有望獲得美光(Micron)的支持，雙方如果能夠成功整合，在資金資源、技術(shù)力量與市場容量方面，新企業(yè)都有巨大的想象空間，有媒體稱“中國存儲器有望復(fù)制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術(shù)更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。” 在存儲領(lǐng)域，無論是武漢新芯還是紫光集團(tuán)，都已經(jīng)布局了很長時間。相對而言，紫光聲勢更大，武漢新芯步子更快。2015年曾傳出紫光收購美光的新聞，但是最后不了了之;此后紫光宣布入股西部數(shù)據(jù)，從而促成了西部數(shù)據(jù)收購閃迪的交易;之后紫光
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傳武漢新芯合體紫光，加速中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手合作，不只獲得飛索半導(dǎo)體(Spansion)在3D NAND Flash的技術(shù)授權(quán)，更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復(fù)制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術(shù)更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。 3月28日，武漢新芯在武漢市東湖高新區(qū)啟動了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地，該基地預(yù)計2018年將實現(xiàn)3D NAND存儲器的首次量產(chǎn)，并于2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，其中20萬片3D NAND Flash和10萬片D
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李克強(qiáng)總理視察武漢新芯：芯片的研發(fā)與企業(yè)的管理最難也最重要
- 5月23日，李克強(qiáng)總理視察武漢新芯，參觀了公司的晶圓廠，并和武漢新芯的管理和研發(fā)團(tuán)隊親切交談。他說，在集成電路領(lǐng)域，管理和研發(fā)這兩塊最難也最重要，希望武漢新芯摸索出好的管理經(jīng)驗，制造出高性能、高質(zhì)量的自主可控的芯片。 下午6:40分左右，李克強(qiáng)總理到達(dá)武漢新芯，并在董事長王繼增和執(zhí)行長楊士寧博士的陪同下，直接前往晶圓廠參觀。 楊士寧博士向總理匯報了武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和業(yè)務(wù)布局情況。他介紹，武漢新芯現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。目前，公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產(chǎn)技術(shù)水平世界領(lǐng)先，
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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老杳:目前新芯做存儲成功概率不到10%
- 自從國家發(fā)布集成電路扶植政策，做存儲器風(fēng)起云涌。 武漢新芯要做，紫光趙偉國要做，合肥希望借助爾必達(dá)前CEO要做，廈門借助爾必達(dá)前CTO也要做，最新消息福建泉州要和聯(lián)電一起投資DRAM工廠。 算上三星在西安、Intel在大連的投資，猜得不錯，不出幾年，大陸會成為全球存儲器產(chǎn)業(yè)的熱點。 看似風(fēng)光的表面，其實隱藏的風(fēng)險很大，因為大陸的底子實在太薄，要技術(shù)沒技術(shù)，要人才沒人才，當(dāng)然要錢的話，有很多。 就目前形式來看，老杳相對看好兩家，新芯和紫光，紫光由于體制關(guān)系，趙偉國有更多的疼轉(zhuǎn)挪移
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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