武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

　　巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產(chǎn)。

　　目前只有三星有能力量產(chǎn)48層3D NAND，另一記憶體大廠SK海力士預(yù)料要到今年下半才能生產(chǎn)。

　　與 此同時，Malik也指出，中國投入半導(dǎo)體市場，對設(shè)備商來說短多長空。中國砸錢大買設(shè)備建廠，應(yīng)用材料(Applied Materials)、Lam Research一開始有望受惠。但是長期而言，設(shè)備業(yè)者將流失非中國業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少 資本開支。(注：零和游戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零)

　　他強調(diào)，中國加入不會擴大全球半導(dǎo)體設(shè)備支出，因為中國向半導(dǎo)體的三大資本開支大廠，采購大量晶片。這三大業(yè)者分別是臺積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計畫2020年前，國內(nèi)消費的40%晶片改為自制。

　　巴 倫(Barronˋs)網(wǎng)站4月12日報導(dǎo)，Bernstein分析師Mark Newman表示，記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉(zhuǎn)直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線 后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產(chǎn)之后，市場供給過剩將更加惡化。

　　巴倫(Barronˋs)網(wǎng) 站、韓媒etnews 4月報導(dǎo)，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開始生產(chǎn)。3D NAND采用較舊制程(35~50奈米)，業(yè)者能以較低成本、提高產(chǎn)能。英特爾主管David Lundell表示，預(yù)計大連廠會在今年底量產(chǎn)3D NAND。