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晶體管
晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的金氧半場(chǎng)效晶體管選擇
- DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的M...
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瑞典科學(xué)家發(fā)明可控制肌肉的離子芯片
- 來(lái)自瑞典Linkoping大學(xué)的有機(jī)電子學(xué)博士研究生KlasTybrandt發(fā)明了一種可以控制肌肉的離子芯片,這項(xiàng)研究結(jié)果發(fā)布在最新的NatureCommunications雜志上。 來(lái)自Linkoping大學(xué)有機(jī)電子學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在此前成功的發(fā)明了可以同時(shí)運(yùn)送正離子與負(fù)離子的離子晶體管,這種離子晶體管同時(shí)也可以運(yùn)送生物分子。Tybrandt現(xiàn)在成功的將離子晶體管進(jìn)行正負(fù)離子的運(yùn)輸結(jié)合為互補(bǔ)的循環(huán)模式,機(jī)制與此前經(jīng)典的硅電子相似。 這種化學(xué)循環(huán)的優(yōu)勢(shì)在于,電荷載體由多種功能的化學(xué)物質(zhì)組成,這
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ARM:最快明年底發(fā)布20納米工藝芯片
- ARM處理器部門主管西蒙·賽加斯(Simon Segars)周一在Computex大展上表示,采用20納米工藝生產(chǎn)的ARM芯片最快將于明年底發(fā)布。賽加斯說(shuō):“整個(gè)行業(yè)都推進(jìn)下一代技術(shù),只要在經(jīng)濟(jì)和技術(shù)上可行,便會(huì)立刻推出?!? 賽加斯說(shuō):“整個(gè)行業(yè)都推進(jìn)下一代技術(shù),只要在經(jīng)濟(jì)和技術(shù)上可行,便會(huì)立刻推出?!? 生產(chǎn)工藝的尺寸越小,芯片中使用的晶體管尺寸越小,數(shù)量越少,從而可以延長(zhǎng)電池壽命或提升設(shè)備性能。 ARM并不自主生產(chǎn)芯片,
- 關(guān)鍵字: ARM 20納米 晶體管
繼2011年底慘跌之后 電源管理半導(dǎo)體第二季度開始復(fù)蘇
- 據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場(chǎng)追蹤報(bào)告,繼2011年第四季度慘跌之后,電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升,并在第二季度終于走上明顯增長(zhǎng)之路,主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。 第二季度電源管理半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到80億美元,比第一季度的75億美元增長(zhǎng)6.7%。這是該產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入在去年底急劇下降以來(lái),首次有明顯的增長(zhǎng)跡象。在2011年第四季度營(yíng)業(yè)收入環(huán)下降10.7%以前,該市場(chǎng)曾經(jīng)連續(xù)七個(gè)季度增長(zhǎng),如圖2所示。 但是,去年第四季度過(guò)后,該市場(chǎng)趨于穩(wěn)定,今年初營(yíng)業(yè)收入持平,沒有進(jìn)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶體管
采用電子束檢測(cè)技術(shù)輔助晶體管開發(fā)
- 涉足尖端技術(shù)研究工作的芯片制造商正在把無(wú)數(shù)新材料和奇特的器件結(jié)構(gòu)結(jié)合起來(lái),用于65nm及更低節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)。同時(shí)他們發(fā)現(xiàn),在這些研究上的努力生產(chǎn)的結(jié)果還包括目前必須著手解決各器件各個(gè)層上出現(xiàn)的越來(lái)越多的細(xì)微的
- 關(guān)鍵字: 電子束 檢測(cè)技術(shù) 輔助 晶體管
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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