晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

光伏產(chǎn)業(yè)：中國(guó)半導(dǎo)體支撐業(yè)的新機(jī)遇

　??? 1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明晶體管，1958年仙童公司RobertNoyce(羅伯特·諾伊斯)和德州儀器JackKilby(杰克·基爾比)分別發(fā)明基于硅和基于鍺的集成電路，1971年英特爾推出1KBDRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，在集成電路的技術(shù)和工藝的每一次躍變過(guò)程中，都離不開(kāi)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的不斷推陳出新。　??? 支撐業(yè)是集成
關(guān)鍵字：集成電路晶體管光伏 EDA LED

特瑞仕推出內(nèi)置晶體管600mA雙路降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社開(kāi)發(fā)了XCM517 系列內(nèi)置晶體管600mA 同步整流雙路降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器。　　XCM517 系列是在一個(gè)封裝組件中搭載兩個(gè)XC9235/XC9236 系列的同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器而組成的實(shí)裝芯片(IC)。工作電壓范圍從2.7V 到6.0V。內(nèi)置時(shí)鐘控制器分為1.2MHz 和3.0MHz 兩種，可以根據(jù)具體應(yīng)用來(lái)選擇合適的工作頻率。工作模式可選擇PWM 控制模式或PWM/PFM 自動(dòng)轉(zhuǎn)換控制模式，即使是紋波控制難度較大的產(chǎn)品，也能實(shí)現(xiàn)從小負(fù)載到大負(fù)載的
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器特瑞仕晶體管 PWM

WLR測(cè)試中所面臨的新挑戰(zhàn)

　　就像摩爾定律驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導(dǎo)體可靠性問(wèn)題的活動(dòng)也遵循一個(gè)似乎有點(diǎn)可以預(yù)測(cè)的周期。例如，技術(shù)演進(jìn)到VLSI時(shí)，為了保持導(dǎo)線的電路速度，引入了鋁線連接。此時(shí)，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問(wèn)題。一旦發(fā)現(xiàn)了問(wèn)題所在，就會(huì)通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)對(duì)退化機(jī)制進(jìn)行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標(biāo)達(dá)到最佳。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟，焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等，又開(kāi)始一輪新周期。　　隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 VLS 可靠性測(cè)試晶體管

飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

　　飛思卡爾半導(dǎo)體近日揭開(kāi)了全球首款適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用的50V LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應(yīng)用，包括空中交通管理和長(zhǎng)射程氣象雷達(dá)。? 　　RF產(chǎn)品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅(qū)動(dòng)。當(dāng)頻率在1200 － 1400 MHz之間時(shí)， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競(jìng)爭(zhēng)性雙極場(chǎng)效晶體管（FET）器件相比，它重新設(shè)立了該功率和頻率級(jí)的新的效率、增益和熱阻標(biāo)準(zhǔn)。? 　　先進(jìn)的RF功率
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ST推出VIPer17開(kāi)關(guān)式離線電源轉(zhuǎn)換器

　　2008年5月23日，意法半導(dǎo)體推出VIPer17開(kāi)關(guān)式離線電源轉(zhuǎn)換器。新產(chǎn)品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶體管和多項(xiàng)有助于節(jié)省外部組件和提高待機(jī)能效的先進(jìn)功能，新轉(zhuǎn)換器內(nèi)置可調(diào)設(shè)置點(diǎn)，恒流開(kāi)關(guān)操作，能夠配合所有的市電電壓，最高可適用于12W的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)。　　通過(guò)集成一個(gè)高壓?jiǎn)?dòng)電流電源以及必要的保護(hù)功能，VIPer17不再需要外部感應(yīng)元件和啟動(dòng)電阻器。保護(hù)功能包括精確可調(diào)的過(guò)壓和超載保護(hù)、延時(shí)過(guò)熱保護(hù)和兩級(jí)過(guò)流保護(hù)。故障檢測(cè)電路激活轉(zhuǎn)換器的自動(dòng)重啟功能，以防浪涌對(duì)電源或負(fù)載造
關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換器晶體管 SMPS

ST推出一系列新型的絕緣柵雙極晶體管

　　近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明等鎮(zhèn)流器節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。　　開(kāi)關(guān)性能的改進(jìn)容許設(shè)計(jì)工程師把IGBT用于以硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浜椭C振電路為特點(diǎn)的高度競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品。新產(chǎn)品關(guān)斷能耗降低，使用很小的緩沖電容器即可在低結(jié)溫下工作，帶來(lái)
關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體晶體管鎮(zhèn)流器電容器

處理器核改進(jìn) 引發(fā)能耗地震

　　根據(jù)摩爾定律，每18個(gè)月（起初是24個(gè)月）芯片上的晶體管密度就會(huì)翻番，但是前幾年功耗問(wèn)題曾一度困擾Intel等公司的發(fā)展。為此，Intel對(duì)摩爾定律進(jìn)行了大膽的修正，指出摩爾定律是晶體管密度、性能和功耗的折中發(fā)展規(guī)律。為此，多核開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)嶄新的計(jì)算時(shí)代。圖1 原摩爾定律不再有助于功耗降低　　通常認(rèn)為，多核設(shè)計(jì)與優(yōu)化的處理器相互協(xié)同作用，才能帶來(lái)芯片能耗降低的地震（圖2）。多年來(lái)一直倡導(dǎo)在SoC中進(jìn)行多核設(shè)計(jì)，在可配置多核方面獨(dú)樹(shù)一幟的Tensilica，在多核低功耗方面取得了巨大的突破，產(chǎn)
關(guān)鍵字：摩爾定律芯片晶體管功耗處理器

英飛凌推出行業(yè)最優(yōu)峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發(fā)布兩款面向無(wú)線寬帶應(yīng)用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運(yùn)行的WiMAX應(yīng)用。這些產(chǎn)品可提供最高達(dá)170 W的峰值輸出功率，進(jìn)一步壯大了英飛凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX應(yīng)用的射頻功率晶體管產(chǎn)品陣營(yíng)。這款LDMOS射頻功率晶體管杰出的峰值功率性能可支持設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化其射頻功率放大器的設(shè)計(jì)。　　　　英飛凌科技公司副總裁兼射頻功率器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Helmut Volger表示：&ldqu
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世界最小晶體管問(wèn)世僅1個(gè)原子厚10個(gè)原子寬

　　北京時(shí)間4月21日消息，據(jù)美國(guó)連線雜志報(bào)道，目前，英國(guó)研究人員研制世界上最小的電子晶體管，其厚度為1個(gè)原子，直徑10個(gè)原子。　　這項(xiàng)最新研制的新型電子晶體管比之前32納米硅材料電子晶體管小3倍，英國(guó)曼徹斯特大學(xué)研究人員科斯特亞·諾沃舍羅夫說(shuō)，“這種電子晶體管可用于任何半導(dǎo)體制造。”他和另一位合著作者將該研究報(bào)告發(fā)表在《科學(xué)》雜志上。　　電子晶體管形式的邏輯門可加強(qiáng)計(jì)算處理能力。根據(jù)摩爾定律，每隔24個(gè)月，集成電路上的晶體管的數(shù)量將翻番，從而不斷
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CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展趨勢(shì)

　　前言　　自從1947年第一支晶體管的發(fā)明，半導(dǎo)體集成電路在二十世紀(jì)的后三十年有了一個(gè)極大的發(fā)展。這個(gè)發(fā)展極大的推動(dòng)了世界性的產(chǎn)業(yè)革命和人類社會(huì)的進(jìn)步。今天在我們每個(gè)人的日常生活中, 英特網(wǎng)，手機(jī)的普及和計(jì)算機(jī)在各個(gè)領(lǐng)域的大量應(yīng)用，已經(jīng)使我們進(jìn)入了信息時(shí)代。在這中間起決定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)明，它的制造工藝的不斷發(fā)展和以它為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)手段的不斷改進(jìn)。　　圖1是一個(gè)最基本的CMOS邏輯門—反向器的物理結(jié)構(gòu)和電路圖。當(dāng)輸入為邏輯0時(shí)它的輸
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電源半導(dǎo)體市場(chǎng)擴(kuò)大相關(guān)廠商研發(fā)活躍

　　近年來(lái)地球溫室效應(yīng)問(wèn)題引起了公眾的廣泛關(guān)注，對(duì)節(jié)能電子設(shè)備的呼聲也越來(lái)越高。人們強(qiáng)烈要求所有電子設(shè)備所用的電源都要提高效率，節(jié)約能耗，要求手機(jī)所代表的電池驅(qū)動(dòng)移動(dòng)產(chǎn)品不僅要有節(jié)能的意識(shí)，還要能夠提供極高的能效，以延長(zhǎng)電池的使用壽命。　　各種電子設(shè)備的電源由原來(lái)的通過(guò)變壓器調(diào)節(jié)電壓方式，演變?yōu)殚_(kāi)關(guān)電源、DC—DC變頻器、逆變器調(diào)壓。作為下一代電源，使用DSP對(duì)電源實(shí)現(xiàn)高精度控制的數(shù)字電源正在開(kāi)發(fā)并開(kāi)始上市。　　DC—DC變頻器IC用于調(diào)節(jié)直流電壓、改變基板電壓。其中開(kāi)關(guān)頻
關(guān)鍵字：電源半導(dǎo)體晶體管

借鑒國(guó)際經(jīng)驗(yàn) 推動(dòng)我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展

　　1947年第一只晶體管在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生，揭開(kāi)了電子信息技術(shù)發(fā)展新紀(jì)元。1958年德州儀器公司和仙童公司成功地開(kāi)發(fā)出全球第一顆集成電路。半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，微電子技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)的崛起，大大推動(dòng)了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進(jìn)了經(jīng)濟(jì)繁榮和社會(huì)進(jìn)步?，F(xiàn)在，芯片、微處理器、存儲(chǔ)器等集成電路產(chǎn)品，已不再是技術(shù)名詞，而是與人們?nèi)粘Ｉ钚萜菹嚓P(guān)的東西;專業(yè)內(nèi)常用的摩爾定律、晶圓代工線(Foundry)、無(wú)制造線集成電路企業(yè)(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成為社會(huì)經(jīng)濟(jì)學(xué)界日常討論的內(nèi)容。當(dāng)今集成電路技術(shù)已進(jìn)入納
關(guān)鍵字：集成電路晶體管摩爾定律模擬IC

單電子晶體管研制成功或重新精確定義電流單位

　　芬蘭與美國(guó)的一個(gè)研究小組研制出單電子晶體管(SET)它能將振蕩電壓轉(zhuǎn)換成非常精確的電流，這有望更精確重新定義電流的基本單位———安培。該項(xiàng)科研成果刊登在近期出版的《納米科學(xué)與技術(shù)在線資源》網(wǎng)站上。　　安培、伏特及歐姆是電子學(xué)的三大基本單位，后兩者分別通過(guò)約瑟夫森電壓和量子化霍爾電阻的測(cè)量而得，然而目前的安培測(cè)量技術(shù)卻還延續(xù)著十九世紀(jì)使用的版本：真空中相距1米的兩根無(wú)限長(zhǎng)且圓截面可忽略的平行導(dǎo)線內(nèi)通過(guò)一恒定電流，當(dāng)兩導(dǎo)線每米長(zhǎng)度之間產(chǎn)生的力等于2
關(guān)鍵字：單電子晶體管研制

壓電振蕩器供給白光LED發(fā)光

　　壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。　　接收單電池供電的LED驅(qū)動(dòng)器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡(jiǎn)單的為壓電蜂鳴器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動(dòng)白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片，帶雙面電極，用可傳導(dǎo)粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉(zhuǎn)換器。在這個(gè)轉(zhuǎn)換器中，模片在其中一個(gè)電極上有反應(yīng)標(biāo)記。電感和容性器件之間諧振產(chǎn)生振蕩。工作的頻率為：fOSC=1/(2π 　　　　)，在
關(guān)鍵字： LED 振蕩器晶體管發(fā)光二極管 LED

LSI 慶祝晶體管發(fā)明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計(jì)算機(jī)歷史博物館捐贈(zèng)了其首枚晶體管的復(fù)制品，以慶祝晶體管發(fā)明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發(fā)明的，它是當(dāng)今集成電路的構(gòu)建塊，而集成電路則是從電腦到手機(jī)乃至導(dǎo)彈和心臟起搏器等各種產(chǎn)品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯(lián)合大道 (Union Boul
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]