飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

　　飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。 

　　RF產(chǎn)品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅(qū)動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙極場效晶體管（FET）器件相比，它重新設立了該功率和頻率級的新的效率、增益和熱阻標準。 

　　先進的RF功率晶體管產(chǎn)品線（同時也是飛思卡爾50V RF功率LDMOS電子系統(tǒng)和雷達系列的首條產(chǎn)品線）為那些希望在L波段頻率設計RF脈沖功率產(chǎn)品的客戶提供了競爭優(yōu)勢，如標準電源、冷卻成本低和托盤設計的高可靠性等。計劃在今年下半年推出的飛思卡爾新版本雷達和航空電子，有望展示出良好的增益、效率和熱阻性能，能夠全面超過目前市場其它同類產(chǎn)品。 

　　飛思卡爾MRF6V14300H器件封裝在符合RoHS標準的氣腔陶瓷封裝內(nèi)，熱阻不到0.12o C/W θJC，能夠有效管理散熱，減少散熱器規(guī)模。出色的熱性能為冷卻器提供結溫。MRF6V10010N是過模塑料封裝，也具有出色的熱性能。當與其他產(chǎn)品結合使用時，就能實現(xiàn)冷卻成本低和托盤設計的高可靠性優(yōu)勢。 

　　MRF6V14300H的關鍵RF性能數(shù)字有：1200 －1400 MHz的頻率范圍，330W的最高輸出功率（在1400MHz，脈沖寬度為300 μsec，12％的占空比）、17 dB增益、60％的漏極效率。特別值得一提的是，60％的漏極效率比競爭產(chǎn)品至少高出10個百分點。MRF6V10010N提供8W的最高輸出功率（1400 MHz、300 μs、12％的占空比）、22 dB增益和60％的漏極效率。 

　　與飛思卡爾50 V LDMOS系列的其它器件一樣，這些先進器件融入了靜電放電（ESD）保護功能，有助于減少它們對裝配站點上的靜電事件的敏感性。這種ESD保護支持-6 V 到 +10 V的大范圍柵極電壓，當器件運行在更高效率級（如C級）時，這一設計的優(yōu)勢就非常明顯。 

　　RF器件基于飛思卡爾第6代超高壓（VHV6） 50 V LDMOS技術。首先被飛思卡爾實現(xiàn)商用的50 V VHV6 LDMOS平臺顯示出行業(yè)領先的增益和效率。加之器件封裝和熱管理領域內(nèi)的創(chuàng)新，VHV6技術通過每晶體管額定功率的提高，進一步減少了器件計數(shù)和系統(tǒng)成本。 

　　MRF6V10010N產(chǎn)品現(xiàn)已推出樣品，并已投入批量生產(chǎn)。MRF6V14300H正在打樣，并有望在2008年第三季度全面投入生產(chǎn)。MRF6V14300H的寬帶參考文本也已上市。兩款器件的大信號型號預計2008年年底推出。