晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
特殊晶體管的檢測方法
- 普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個發(fā)射結(jié)。檢測時可使用萬用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔
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低壓線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用技巧
- 低壓線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用技巧-熱力學(xué)中常犯的一個錯誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡易的裝置。當(dāng)設(shè)計即將應(yīng)用時,設(shè)計師通常會意識到這個錯誤。更糟的是,由于新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格,封裝中消散的功率很容易被忽視。這讓穩(wěn)壓器的運(yùn)行溫度會超過其額定溫度,在實(shí)際使用中會引發(fā)故障。
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MOSFET靠什么進(jìn)軍IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域?
- MOSFET靠什么進(jìn)軍IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域?-兩個主要類型的功率晶體管:MOSFET和IGBT非常流行,它們在電源系統(tǒng)設(shè)計中已經(jīng)使用了多年,因此,很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性,使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型,并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
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產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因及解決措施
- 產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因及解決措施-產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動),都將造成輸出電壓漂移。實(shí)踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因,也是最難克服的因素,這是由于半導(dǎo)體元器件的導(dǎo)電性對溫度非常敏感,而溫度又很難維持恒定。
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“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝
- “英特爾精尖制造日”活動今天舉行,展示了英特爾制程工藝的多項重要進(jìn)展,包括:英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié),英特爾首款10納米FPGA的計劃,并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。 “英特爾遵循摩爾定律,持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝,每一代都會帶來更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本,”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith表示,“很高興首次在中國與大家分享英
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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