晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

IBM展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管

IBM在2023年12月早些時(shí)候的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上展示了首個(gè)針對(duì)液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級(jí)研究員鮑汝強(qiáng)表示：“納米片器件結(jié)構(gòu)使我們能夠在指甲大小的空間內(nèi)容納50億個(gè)晶體管。”這些晶體管有望取代當(dāng)前的FinFET技術(shù)，并被用于IBM的首個(gè)2納米原型處理器。納米片技術(shù)是邏輯器件逐步縮小的下一步，將其與液氮冷卻技術(shù)搭配可能會(huì)帶來(lái)更好的性能。研究人員發(fā)現(xiàn)，在77K的溫度下運(yùn)行，與在大約300K的室溫條件下運(yùn)行相比，設(shè)備
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GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無(wú)論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個(gè)主要因素導(dǎo)致其效率下降（在簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)電阻，稱為 RDS（ON），另一個(gè)是并聯(lián)電容器稱為 C
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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晶體管的第一個(gè)76年：變小了，卻變大了？

1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí)，他們未曾想到，晶體管如今會(huì)成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，它改進(jìn)了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設(shè)備的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也為人們帶來(lái)了便捷高效的數(shù)字化生活。1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個(gè)能正常工作的晶體管時(shí)，他們未曾想到，
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雙極結(jié)型晶體管的電流增益

如果您施加一個(gè)足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發(fā)射極結(jié)，電流將從輸入端流過(guò) R B，通過(guò) BE 結(jié)，到達(dá)地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經(jīng) R C，流經(jīng)晶體管的集電極到發(fā)射極部分，流到地。稱之為I C。假設(shè) I C足夠小以在集電極端留下相對(duì)較高的電壓——足夠高的電壓，即保持基極-集電極結(jié)反向偏置。假設(shè)我們正在使用一個(gè)簡(jiǎn)單的電路，該電路由一個(gè) npn雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和幾個(gè)電阻器組成，連接方式如下：如果您施
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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管

2023 年 5 月 24 日，中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進(jìn)技術(shù)，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身，實(shí)現(xiàn)高效的開(kāi)關(guān)性能。因此，STL120N10F8的最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時(shí)），高效運(yùn)行頻率達(dá)到6
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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干貨總結(jié)｜晶體管的應(yīng)用知識(shí)

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。
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妙趣橫生的電子小知識(shí)　第1篇：初識(shí)晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)和各種小知識(shí)。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識(shí)到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問(wèn)別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對(duì)于電子制作初學(xué)者來(lái)說(shuō)，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開(kāi)始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開(kāi)關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
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基于晶體管VBE 的振蕩器測(cè)量溫度

模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書(shū)籍和應(yīng)用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計(jì)難題的喜悅的無(wú)底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫(xiě)作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計(jì)思想源自他發(fā)表在 AN45測(cè)量和控制電路集（夜班尿布和設(shè)計(jì)）第 7 頁(yè)的電路之一。模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書(shū)籍和應(yīng)用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計(jì)難題的喜悅的無(wú)底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫(xiě)作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計(jì)思想源自他發(fā)表在 AN45測(cè)量和控制電路
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現(xiàn)卓越性能

IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開(kāi)的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，大家最常見(jiàn)的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實(shí)際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬(wàn)景團(tuán)隊(duì)繞過(guò) EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有
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你不知道的半導(dǎo)體歷史故事

　　你知道嗎？世界上第一個(gè)半導(dǎo)體晶體管并不是用硅材料做的，而是用一種叫作“鍺”的稀有元素做的。在上世紀(jì)三四十年代初，使用半導(dǎo)體制作固態(tài)放大器的想法被陸續(xù)提出，第一個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果是由波歐與赫希完成的，使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極，雖然它的操作頻率只有一赫茲，并無(wú)實(shí)際用途，卻證明了類似真空管的固態(tài)三端子組件的實(shí)用性?！　《?zhàn)后，貝爾實(shí)驗(yàn)室提出想要做出固態(tài)放大器的目標(biāo)，經(jīng)過(guò)幾位科學(xué)家的實(shí)驗(yàn)和改進(jìn)，最終由巴丁和布萊登用涂蠟鎢絲和硅制成第一個(gè)點(diǎn)接觸電晶體，繼而制作出第一個(gè)語(yǔ)音放大器。在這之后，蕭克萊設(shè)想是否能使用
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對(duì)電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]