晶片設(shè)計(jì) 文章進(jìn)入晶片設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)

設(shè)計(jì)服務(wù)走前端 Synapse Design滿足SOC設(shè)計(jì)最佳化

　　隨著晶片設(shè)計(jì)愈趨困難，過(guò)去半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起了一個(gè)次產(chǎn)業(yè)為“設(shè)計(jì)服務(wù)”，其主要任務(wù)是要協(xié)助晶片業(yè)者減少設(shè)計(jì)時(shí)間與成本，以便在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間點(diǎn)推出產(chǎn)品來(lái)因應(yīng)市場(chǎng)需求，這類(lèi)業(yè)者當(dāng)以臺(tái)灣的智原與創(chuàng)意電子等公司為代表，不過(guò)這類(lèi)業(yè)務(wù)并非只是臺(tái)灣業(yè)者的專(zhuān)長(zhǎng)，來(lái)自于美國(guó)的Synapse Design，成立于2003年，同樣也是扮演設(shè)計(jì)服務(wù)的角色，所服務(wù)的客戶與應(yīng)用種類(lèi)相當(dāng)廣泛且多元。　　左為Synapse Design營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)暨共同創(chuàng)辦人Devesh Gautam，右為Synapse Desi
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　　英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開(kāi)發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及採(cǎi)用 40nm 製程的車(chē)用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)，初期于新加坡，后續(xù)則將轉(zhuǎn)移到位于德國(guó)德勒斯登的廠房。　　英飛凌董事會(huì)成員 Arunjai Mittal 表示：「採(cǎi)用 40nm 製程結(jié)構(gòu)的
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　　在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)制程技術(shù)部門(mén)的高層Mark Bohr指出，無(wú)晶圓廠(fabless)半導(dǎo)體業(yè)經(jīng)營(yíng)模式已經(jīng)快到窮途末路。他認(rèn)為，臺(tái)積電(TSMC)最近宣布只會(huì)提供一種20納米制程，就是一種承認(rèn)失敗的表示;而且該晶圓代工大廠顯然無(wú)法在下一個(gè)主流制程節(jié)點(diǎn)提供如3D電晶體所需的減少泄漏電流技術(shù)。　　“高通(Qualcomm)不能使用那種(22納米)制程技術(shù);”Bohr在日前于美國(guó)舉行的 Ivy Bridge 處理器發(fā)表會(huì)上宣布，該新款處理器是采用英特爾三閘22納米制程生產(chǎn)
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