英飛凌與格羅方德共同開發(fā)40nm嵌入式Flash制程

　　英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發(fā)，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據(jù)點生產(chǎn)，初期于新加坡，后續(xù)則將轉(zhuǎn)移到位于德國德勒斯登的廠房。

　　英飛凌董事會成員 Arunjai Mittal 表示：「採用 40nm 製程結(jié)構的新一代嵌入式快閃記憶體微控制器，將進一步提升我們在汽車及晶片與安全防護市場的競爭優(yōu)勢。我們相信格羅方德將以他們優(yōu)異的製造經(jīng)驗以及分佈于不同地區(qū)的據(jù)點，滿足英飛凌在品質(zhì)、架構安全性和企業(yè)永續(xù)性等方面的嚴格需求?！?/p>

　　格羅方德執(zhí)行長 Ajit Manocha 表示：「英飛凌選擇格羅方德做為其 40nm 嵌入式快閃記憶體技術節(jié)點的晶圓代工伙伴，是對我們能由跨區(qū)域的多間晶圓廠房支援單一代工廠解決方案 (one-foundry-solution) 獨特能力的肯定。我們致力于提供領先的技術和製造能力，滿足英飛凌的業(yè)務所需。我們期盼能與英飛凌建立長遠的合作關係，協(xié)助英飛凌在這個變化快速的產(chǎn)業(yè)獲致成功。」

　　這項與格羅方德的合作案符合英飛凌在 65nm 以下的 CMOS 技術採用共同技術研發(fā)的策略。安全晶片預計將于 2015 年下半年進行製程及產(chǎn)品驗證，汽車微控制器則預計于 2017 年上半年開始製造。

　　英飛凌及格羅方德在開發(fā)及製造範疇有著長期的合作關係，其中包括 CMOS 低功率手機產(chǎn)品的共同開發(fā)及製造。