材料制造 文章 進入材料制造技術(shù)社區(qū)
研究人員以低溫材料制造低成本的3D IC
- 通常一提到3D晶片就會聯(lián)想到采用矽穿孔(TSV)連接的晶片堆疊。但事實上,還有一些技術(shù)并未采用TSV,如BeSang公司最近授權(quán)給韓國海力士(SKHynix)的垂直晶體陣列技術(shù)。此外,由半導(dǎo)體研究聯(lián)盟(SRC)贊助加州柏克萊大學(xué)最近開發(fā)出采用低溫材料的新技術(shù),宣稱可帶來一種低成本且靈活的3D晶片制造方法。 該技術(shù)直接在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶片上的金屬薄層之間制造主動元件,從而免除了垂直堆疊電晶體或以TSV堆疊晶片的開銷。 「對我來說,令人振奮的部份在于它是一款單晶片的整合,而不是采用至今在
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