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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 極紫外光刻

極紫外光刻新技術(shù)問世，超越半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限

  • 據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道稱，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）官網(wǎng)最新報(bào)告，該校設(shè)計(jì)了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。基于此設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，從而降低成本并大幅提高機(jī)器的可靠性和使用壽命。在傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)中，例如照相機(jī)、望遠(yuǎn)鏡和傳統(tǒng)的紫外線光刻技術(shù)，光圈和透鏡等光學(xué)元件以軸對(duì)稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線，因?yàn)樗鼈兊牟ㄩL(zhǎng)極短，大多數(shù)會(huì)被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形鏡子引導(dǎo)。但這又會(huì)導(dǎo)致光線偏離中心軸
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EUV光刻機(jī)訂單少了？ASML下調(diào)Q1季度營(yíng)收預(yù)期 暫停股票回購(gòu)

  • 由于COVID-19新冠病毒在全球的蔓延,多個(gè)行業(yè)的生產(chǎn)、消費(fèi)都受到影響了,半導(dǎo)體行業(yè)也不例外。ASML公司今天宣布下調(diào)Q1季度營(yíng)收預(yù)期,同時(shí)暫停股票回購(gòu),不過他們沒公布EUV光刻機(jī)出貨量是否受影響了。今年1月份ASML公司發(fā)布了2019年Q4及全年財(cái)報(bào),2019年交付了26臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)2020年交付35臺(tái)EUV光刻機(jī),2021年則會(huì)達(dá)到45臺(tái)到50臺(tái)的交付量,是2019年的兩倍左右。展望2020年Q1季度,ASML之前預(yù)計(jì)營(yíng)收31到33億歐元之間,毛利率46%到47%之間,研發(fā)費(fèi)用約為5.5億歐
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ASML研發(fā)下一代EUV光刻機(jī)：分辨率提升70% 逼近1nm極限

  • 在EUV光刻機(jī)方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī),去年出貨26臺(tái),創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報(bào)告,去年他們出貨了26臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)2020年交付35臺(tái)EUV光刻機(jī),2021年則會(huì)達(dá)到45臺(tái)到50臺(tái)的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮
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ASML研發(fā)下一代EUV光刻機(jī)：分辨率提升70% 逼近1nm極限

  • 在EUV光刻機(jī)方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī),去年出貨26臺(tái),創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)在2022年開始出貨。根據(jù)ASML之前的報(bào)告,去年他們出貨了26臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)2020年交付35臺(tái)EUV光刻機(jī),2021年則會(huì)達(dá)到45臺(tái)到50臺(tái)的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮
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中芯國(guó)際稱7nm EUV光刻機(jī)問題已解決 技術(shù)研發(fā)步入正軌

  • 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，制造越來(lái)越困難，其中最復(fù)雜的一步——光刻需要用到EUV光刻機(jī)了，而后者目前只有荷蘭ASML阿斯麥公司才能供應(yīng)。中芯國(guó)際去年也訂購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)，日前該公司表示與ASML之間已解決光刻機(jī)的問題，EUV技術(shù)研發(fā)步入正軌。前不久有消息稱ASML停止對(duì)中芯國(guó)際供應(yīng)EUV光刻機(jī)，隨后ASML公司表示不是停供，而是延期，主要是在準(zhǔn)備該國(guó)政府的出口申請(qǐng)文本工作。中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)日前在韓國(guó)訪問，韓媒報(bào)道稱周子學(xué)表態(tài)已經(jīng)解決了與ASML之間就光刻機(jī)供應(yīng)存在的問題，強(qiáng)調(diào)中芯國(guó)際在先進(jìn)
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ASML發(fā)布Q2季度財(cái)報(bào) EUV光刻機(jī)產(chǎn)能大增

  • 掌握全球唯一EUV光刻機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計(jì)出貨了41臺(tái)光刻機(jī)，其中EUV光刻機(jī)7臺(tái)。
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極紫外光刻介紹

　　目錄 　　1 定義 　　2 概述 　　3 背景 　　4 展望 　　定義 　　極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm 的軟x 射線。 　　概述 　　EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,它能 [ 查看詳細(xì) ]

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