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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 柵極感應(yīng)

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能

  • 　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級(jí)單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長(zhǎng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。         2008年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
  • 關(guān)鍵字： NAND  柵極感應(yīng)  DDR  MLC  MLC  
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柵極感應(yīng)介紹

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