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意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地

  • 意法半導體新推出了一款基于網(wǎng)絡的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學習內核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關網(wǎng)絡配置。MLC機器學習內核是 ST MEMS 產(chǎn)品組合的專屬功能，能夠讓傳感器直接運行決策樹學習模型。MLC 能夠自主運行，無需主機系統(tǒng)參與，低延遲，低功耗，高效處理需要 AI 功能的任務，例如，分類和模式檢測。ST AIoT Craft 還集成了利用 MLC在傳感器內實現(xiàn)AI的物聯(lián)網(wǎng)項目開發(fā)配置所需的全部步驟
  • 關鍵字： 意法半導體  ST AIoT Craft  MLC  智能傳感器  

凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化

  • 凌華科技發(fā)布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫(yī)療平板電腦，全新的多功能一體式醫(yī)療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務處理能力，可以輕松運行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等文檔應用程序。MLC-M 既輕又薄，且功能強大，非常適合在應用于醫(yī)療推車或護理站等移動型應用場景。第 11 代Intel? Core? 處理器提供了強大的計算性能，可以輕松運行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等
  • 關鍵字： 醫(yī)療平板電腦  凌華科技  醫(yī)療電子  MLC-M  

機器學習模型設計過程和MEMS MLC

  • 開發(fā)機器學習項目的五個步驟 — 掌握要點，應用并不困難！邊緣機器學習具有許多優(yōu)勢。 然而，由于開發(fā)方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學習開發(fā)者可能會擔心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學習項目的要點，就能夠開發(fā)具有價值的機器學習應用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進邊緣機器學習得到廣泛應用發(fā)揮全部潛力。本文描述機器學習項目的必要開發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內嵌機器學習核心（MLC）的優(yōu)勢。 圖一
  • 關鍵字： 機器學習  模型設計  MEMS MLC  

意法半導體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費應用增添機器學習內核的能效優(yōu)勢

  • 近日，意法半導體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動作檢測機器學習內核(MLC)技術的優(yōu)勢擴大到工業(yè)和高端消費應用領域。機器學習內核(MLC)技術對動作數(shù)據(jù)執(zhí)行基本的AI預處理任務所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負荷，延長情景感知和體感設備的電池續(xù)航時間，降低維護檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個MLC增強型商用
  • 關鍵字： IMU  MLC  

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)
  • 關鍵字： SLC  MLC  TLC  區(qū)別  

NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC

  • NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
  • 關鍵字： MLC  閃存  NAND  英特爾  

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
  • 關鍵字： SLC  MLC  TLC  閃存  

東芝攜強大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

  • 　　　　日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強勢產(chǎn)品和尖端技術參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發(fā)布會，推出促進人類智慧生活的四大應用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會。
  • 關鍵字： 東芝  慕尼黑上海電子展  閃存  MLC  MMC  SLC  BENAND  

東芝：泄密了的閃存技術走勢

  • 　　全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術動向，也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
  • 關鍵字： 東芝  閃存  MLC  MMC  SLC  BENAND  

NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術百花齊放

  • 　　由于閃存技術的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。 　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
  • 關鍵字： NAND  MLC  TLC  

電源設計小貼士:MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得 ...
  • 關鍵字： 電源  MLC  電容器  

MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得...
  • 關鍵字： MLC  電源設計  電容器  

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)

  • IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產(chǎn)品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現(xiàn)。這些技術很可能出現(xiàn)在
  • 關鍵字： 表象  技術  細節(jié)  閃存  NAND  16Gb  MLC  解密  

NAND Flash SLC MLC技術分析

  • 什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓，
  • 關鍵字： Flash  NAND  MLC  SLC    

三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 　　申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存芯片  MLC  
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