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模塊并聯(lián)
模塊并聯(lián) 文章 進(jìn)入模塊并聯(lián)技術(shù)社區(qū)
開關(guān)電源模塊并聯(lián)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要:本系統(tǒng)以C8051F340單片機(jī)為控制核心,通過(guò)對(duì)輸出電壓和電流采樣計(jì)算,改變單片機(jī)PWM占空比輸出,控制MOS管的 ...
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 模塊并聯(lián) 供電系統(tǒng)
IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法
- 摘要:利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法,可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。 關(guān)鍵詞:IGBT模塊并聯(lián);模擬分析方法;蒙特卡羅方法 IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題同器件的工藝問(wèn)題一樣是一個(gè)老問(wèn)題了。在試圖回答該問(wèn)題時(shí),工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去,人們針對(duì)該問(wèn)題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法,但是到目前為止,仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問(wèn)題,即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí),超出器件限值的概率有多大?,F(xiàn)在,英飛
- 關(guān)鍵字: IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法 蒙特卡羅方法 200809
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模塊并聯(lián)介紹
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