模擬ic 文章 進(jìn)入模擬ic技術(shù)社區(qū)
利用TI新型在線工具選擇非隔離式POL模塊與電容器
- 現(xiàn)在,借助 TI 的全新在線選擇工具,您可以輕松快速地選擇最佳非隔離式 POL模塊與電容器。T2 系列寬輸入、非隔離式 POL 電源模塊采用 TI 申請(qǐng)專利的全新 TurboTrans 技術(shù),能夠在瞬態(tài)負(fù)載條件下將輸出電容縮小到原來的1/8。 這款新工具使得用戶能夠輸入具體的設(shè)計(jì)參數(shù)(如 VIN、VOUT、IOUT、TA)及所需的電容器類型。然后,該工具會(huì)返回更改 T2 部件號(hào)、所需的輸出電容容量與類型,以及 TurboTrans 電阻器值
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電源污染治理技術(shù)
- 近年來, 電力網(wǎng)中非線性負(fù)載的逐漸增加是全世界共同的趨勢(shì),如變頻驅(qū)動(dòng)或晶閘管整流直流驅(qū)動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、重要負(fù)載所用的不間斷電源(UPS) 、節(jié)能熒光燈系統(tǒng)等,這些非線性負(fù)載將導(dǎo)致電網(wǎng)污染,電力品質(zhì)下降,引起供用電設(shè)備故障, 甚至引發(fā)嚴(yán)重火災(zāi)事故等。 電力污染及電力品質(zhì)惡化主要表現(xiàn)在以下方面:電壓波動(dòng)、浪涌沖擊、諧波、三相不平衡等。 1.電源污染的危害 電源污染會(huì)對(duì)用電設(shè)備造成嚴(yán)重危害,主要有: 干擾通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等電子設(shè)備的正常工
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高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器的研制
- 引言 高壓鈉燈(HPSL)[1]是高強(qiáng)度放電燈(HIDL——HighIntensityDischargeLamp)中的一種,因其具有極好的光效(80~140lm/W)和合適的光波長(zhǎng),而被廣泛用于戶外照明,如廣場(chǎng)、道路、碼頭等。但是,傳統(tǒng)的電感式的鎮(zhèn)流器存在功率因數(shù)低和自身損耗大的缺點(diǎn)。大量低功率因數(shù)電器的使用,對(duì)電網(wǎng)造成諧波污染,不但增加了供發(fā)電設(shè)備的負(fù)荷,使供發(fā)電設(shè)施得不到充分利用,而且嚴(yán)重影響其它用電設(shè)備的正常運(yùn)行。 綠色照明事業(yè)在世界范圍的蓬勃發(fā)展
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Allegro推出全橋式無刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- Allegro 推出用于驅(qū)動(dòng)器低電壓雙極無刷直流電動(dòng)機(jī)的全新全橋式電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器。電動(dòng)機(jī)整流可通過使用單個(gè)霍爾元件傳感器偵測(cè)極性交互環(huán)形磁鐵的旋轉(zhuǎn)位置來實(shí)現(xiàn)。高密度 CMOS 半導(dǎo)體工藝可確保整合所有必需的電子元件。有關(guān)電子元件包括霍爾元件傳感器、電動(dòng)機(jī)控制電路及全橋式輸出。已采用低電壓設(shè)計(jì)技術(shù)實(shí)現(xiàn)低至 1.8 V VDD 的器件功能。該完全集成的單芯片解決方案可增強(qiáng)可靠性(包括電池反接保護(hù)及輸出短路保護(hù)),且無需任何外部支持元件。&nb
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奧地利微電子推出單/雙路LVDS驅(qū)動(dòng)器
- 奧地利微電子公司推出單/雙路LVDS驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步擴(kuò)展了低壓差分信號(hào)(LVDS)集成電路(IC)系列。 AS1154/56理想用于數(shù)字復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)、手機(jī)基站、電信交換機(jī)和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)/路由器等需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備。這兩款器件的電源電流是同類產(chǎn)品的一半,從而降低了LVDS接口的功耗。 新產(chǎn)品的推出再次彰顯了奧地利微電子公司在削減功耗方面的水平。在數(shù)據(jù)速率高達(dá)800Mbps的條件下,A
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NS推出高精度可編程增益放大器
- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NS)宣布推出業(yè)界最高準(zhǔn)確度的可編程增益放大器,其特點(diǎn)是可以大幅提高傳感器接口應(yīng)用及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的信號(hào)調(diào)節(jié)性能,適用于工業(yè)設(shè)備及測(cè)量?jī)x表等產(chǎn)品。 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體這款型號(hào)為L(zhǎng)MP8100A的可編程增益放大器利用軟件調(diào)節(jié)增益,增益則由1V/V至16V/V,共分為16個(gè)步級(jí),以1V/V作為一步級(jí)增減,而且在攝氏-40度至 125度的工業(yè)溫度范圍內(nèi)操作,增益準(zhǔn)確度保證可達(dá)0.03%。此外,美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體也推出型號(hào)為L(zhǎng)MP8100的半高精度級(jí)別可編
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飛兆推出單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業(yè)界唯一保證工作電壓范圍在3.6V至1.1V的單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器FXLH1T45,可簡(jiǎn)化超便攜式、計(jì)算、通信和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)。這款單比特位雙向電壓轉(zhuǎn)換器可在多個(gè)電壓級(jí)之間提供單向和雙向電壓轉(zhuǎn)換,從而實(shí)現(xiàn)在不同電壓級(jí)工作的處理器與電子子系統(tǒng)之間的無縫連接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的電壓,非常適合超便攜式應(yīng)用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飛兆半導(dǎo)體的超緊湊 (1.0
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電源管理與轉(zhuǎn)換的整合可簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 當(dāng)今,面向電信及數(shù)據(jù)通信市場(chǎng)的先進(jìn)電子系統(tǒng)大量依賴于高性能、精細(xì)線度數(shù)字IC(FPGA、DSP和/或ASIC)快速有效地處理對(duì)時(shí)間敏感的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。對(duì)更高帶寬的需求已迫使這些數(shù)字IC的制造商追求領(lǐng)先的工藝技術(shù),以便在將功耗降至最低時(shí)優(yōu)化性能。但是,這一趨勢(shì)也產(chǎn)生了前幾代工藝中所沒有的多種電源管理問題。降低內(nèi)核電壓電平提高負(fù)載電流,采用亞100納米工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的更小芯片尺寸使這些IC中的電流密度急劇增加。此外,分離的電壓層與多核架構(gòu)的使用還迫使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更多的獨(dú)特電壓層,以及在這些電壓之間提供特定的排序
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基于TPS54350型DC/DC變換器供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC/DC變換器.采用小型16引腳HISSOP封裝.連續(xù)輸出電流為3A時(shí),輸入電壓范圍為4.5V~20V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負(fù)載電源管理的設(shè)計(jì),使得設(shè)計(jì)人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開關(guān))DC/DC變換器的效率高達(dá)90%以上,非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LCD)
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單端正激變壓器的設(shè)計(jì)
- 開關(guān)電源變壓器是高頻開關(guān)電源的核心元件。其作用為:磁能轉(zhuǎn)換、電壓變換和絕緣隔離。開關(guān)變壓器性能的好壞不僅影響變壓器本身的發(fā)熱和效率,而且還會(huì)影響到高頻開關(guān)電源的技術(shù)性能和可靠性。高頻開關(guān)變壓器的設(shè)計(jì)主要包括兩部分:繞組設(shè)計(jì)及磁芯設(shè)計(jì)。本文將對(duì)應(yīng)用在高頻下的單端正激變壓器的設(shè)計(jì)方法及磁芯的選擇給出較為詳細(xì)的論述。 1 單端正激變壓器原理 單端正激變壓器的原理圖如圖1所示。 單端正激變壓器又稱"buck"轉(zhuǎn)換器。因其在原邊
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反饋的基本概念
- 反饋的基本概念 1 .概述 反饋定義為:將放大電路輸出信號(hào)(電壓或電流)的部分或全部通過一定的電路(反饋電路)回送到輸入回路的反送過程。一個(gè)反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。 反饋放大電路的框圖 2 .反饋放大器分類 (1) 根據(jù)輸出端取樣對(duì)象分類 可分為電壓反饋和電流反饋兩類。電壓反饋的反饋信號(hào)取自輸出電壓,反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 ( a )和( b )。電流反饋的反饋信號(hào)取自輸出電流,反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 ( c )和( d )。 (2) 根據(jù)與
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PN 結(jié)的形成及特性
- PN結(jié)的形成 ?。?)當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí),由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ,這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散 。但是,電子和空穴都是帶電的,它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性條件破壞了。P區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ,它們集中在P區(qū)和N區(qū)交界面附近,形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū),這就是我們所說的 PN結(jié) 。
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半導(dǎo)體三極管
- 1 三極管的結(jié)構(gòu)和分類 三極管在模擬電子電路中其主要作用是構(gòu)成放大電路。 結(jié)構(gòu): 三個(gè)區(qū)、 二個(gè)結(jié)、 三個(gè)電極。 分類:三極管如按結(jié)構(gòu)可分為 NPN 型和 PNP 型;按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管;按功率可分為大、中、小功率管;按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。 2 電流分配和放大作用 三極管放大條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 1. 發(fā)射區(qū)發(fā)射電子形成 I E = I B + I C 2. 基區(qū)復(fù)合電子形成 I B
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場(chǎng)效應(yīng)管
- 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 三極管稱電流控制元件;場(chǎng)效應(yīng)管稱電壓控制元件。 場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高(最高可達(dá) 10 15 Ω)、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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模擬ic介紹
模擬IC就是處理模擬信號(hào)的進(jìn)程電路,比如,運(yùn)算放大器,穩(wěn)壓器等,其內(nèi)部的主要晶體管大部分工作在放大狀態(tài)。其輸入輸出可以用外圍電路精確設(shè)定。
電子電路中的信號(hào)分為兩種,一種是數(shù)字(邏輯)信號(hào),只有高低電平之分(1/0),另一種是模擬信號(hào),是一種從低到高連續(xù)變化的電壓信號(hào)。前者如現(xiàn)在的手機(jī)和基站之間發(fā)送接收的信號(hào)、從CD/DVD光盤里讀出的信號(hào)等等;后者如半導(dǎo)體收音機(jī)調(diào)幅或調(diào)頻信號(hào)經(jīng)解調(diào)后的音 [ 查看詳細(xì) ]
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