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WO3摻雜NiO的氣敏性能研究
- 0 引 言 NiO作為一種P型半導(dǎo)體材料,因其具有穩(wěn)定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著廣泛的應(yīng)用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應(yīng)一恢復(fù)快,穩(wěn)定性比較好等優(yōu)點,但與N型半導(dǎo)體SnO,ZnO等氣敏材料相比,NiO的氣體靈敏度較低,這主要是因為NiO為空穴導(dǎo)電,吸附可燃?xì)怏w后空穴減少,電阻增大,而NiO材料本身的電阻又比較高。因此,不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實用性是當(dāng)前研究的重點所在。本文利用水熱法制備NiO對其進行不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的WO3摻雜,研究了摻雜后NiO
- 關(guān)鍵字: NiO 氣敏 WO3 半導(dǎo)體 材料 XRD
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