氮化鎵襯底 文章 進入氮化鎵襯底技術(shù)社區(qū)
未來5年 氮化鎵襯底引領LED襯底發(fā)展潮流
- 在當今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下,中國LED企業(yè)如何打破格局,完成技術(shù)攻堅,促進LED發(fā)展顯得尤為重要。目前,LED襯底類別包括藍寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導體材料的氮化鎵。 與傳統(tǒng)襯底材料相比,氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越特性,是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。時至今日,氮化鎵襯底相對于藍寶石、碳化硅等襯底的性能優(yōu)勢顯而易見,最大難題在于價格過高。 厚膜的襯底產(chǎn)品方面:產(chǎn)品有10~50微米
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氮化鎵襯底介紹
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