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功率器件的熱設計基礎(一)---功率半導體的熱阻
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗,損失的能量會轉化為熱能,表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱,器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高,取決于產生熱量多少(損耗)和散熱效率(散熱通路的熱阻)。IGBT模塊的風冷散熱
- 關鍵字: 英飛凌 功率器件 熱設計 熱阻
模組內部燈條LED真實熱阻模擬測試系統(tǒng)研究與分析
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- LED封裝、模組的質量水平,如光通量、坐標等光性能,與LED內部芯片的結溫高低密切相關。一般LED結溫高,則性能差。因此,對于LED芯片企業(yè)、LED封裝企業(yè)和LED模組整機企業(yè),了解LED芯片各層結構的熱阻顯得十分必要?,F(xiàn)有的測量方法有很多,如紅外熱像儀法、電學參數(shù)法、光功率法等,行業(yè)測量熱阻比較通用、靠譜的方法是電學參數(shù)法。本文采用的測試方法是基于電學參數(shù)法原理,同時利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效法,通過設計相應的PCB規(guī)格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度,與真實模組或整
- 關鍵字: LED封裝 模組 熱阻 電學參數(shù)法 芯片結溫
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