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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度

• 在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器件所采用模型的準確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預測的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說得好，“垃圾進，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。設(shè)計人員根據(jù)產(chǎn)品手冊中在實驗室環(huán)境下測量出的器件特性（如導通損耗、能量損耗和熱阻等），構(gòu)建系統(tǒng)級模型，大多數(shù)行業(yè)標準模型也都是如法炮制。然而，這些基于產(chǎn)品手冊的模型是實驗室配置和環(huán)境的產(chǎn)物，并不總能反映實際中遇到的各種條件。因此，不可想當然地認為這些
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