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DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關(guān)性研究

  • 通過(guò)對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對(duì)傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補(bǔ)充。對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究，討論了引起DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
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