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DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性研究

  • 通過對DC/DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析,發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補充。對DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進行了研究,討論了引起DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
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