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SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言:為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導體物理學界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu),稱為...
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基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性

  • 0 引言  垂直導電雙擴散場(VDMOS)效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表[1]。與功率晶體管相比,具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
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大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究

  • 功率MOS場效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件,在微電子工藝基礎(chǔ)上實現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來,電力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計研究

  • 摘要:介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計方法。對設(shè)計參數(shù)進行了理論分析,并使用仿真工具時設(shè)計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設(shè)計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數(shù)指標,通過器件和工藝的仿真,確定了該器件合理的參數(shù)
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功率直流無刷電機的控制器VDMOS正確使用

  • 在電動自行車里,直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續(xù)流二極管組成,六個續(xù)流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里,因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。這六個VDMOS管通過大電流,它們的輸出直接是定子的繞
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VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計

  • 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
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一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

  • 分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時間,提高器件的動態(tài)性能。
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DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性研究

  • 通過對DC/DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析,發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補充。對DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進行了研究,討論了引起DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
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vdmos介紹

  垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管   VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點,無論是開關(guān)   應(yīng)用還是線形應(yīng)用,VDMOS都是理想的功率器件,VDMOS主要   應(yīng)用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音   響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。   特征:   接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性,非??斓拈_關(guān)時間,導通   電阻正溫度系數(shù),近似常數(shù)的跨導, 高 [ 查看詳細 ]

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