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VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計
- 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性,國內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字: DC 預兆 單元 設(shè)計 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC/DC轉(zhuǎn)換器
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
- 分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時間,提高器件的動態(tài)性能。
- 關(guān)鍵字: VDMOS 寄生電容
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