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用于相變存儲器的GeSbTe MOCVD共形淀積

  • 為了達(dá)到PCM改進(jìn)高性能/高密度發(fā)展進(jìn)程中的下一個(gè)里程碑,正在采用的一個(gè)途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介,相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案,*估PCM的相對成本、效能和可靠度,可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域,
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析, 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案,*估PCM的相對成本、效能和可靠度,可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域
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相變存儲器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)介紹

  • 相變存儲器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存,因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復(fù)原性更好,能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
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相變存儲器的高可靠性多值存儲設(shè)計(jì)

  • 摘要:基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu),提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法,以實(shí)現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下,可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲,同時(shí)對小尺寸驗(yàn)證,而對PCM 存
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實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器

  • 實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器,從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求:容量
    ndash; 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢,所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長,數(shù)據(jù)增長速率甚
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相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法

  • 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù),在200k單元陣列中實(shí)現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元),并表示已開發(fā)出一種編碼方法,能克
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一種相變存儲器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

  • 引言  相變存儲器(PC2RAM)是一種新型半導(dǎo)體存儲器,在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中,PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢顯示了極大的競爭力,得到了較快
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較,  相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案,*估PCM的相對成本、效能和可靠度,可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)
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相變存儲器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)

  • 相變存儲器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù),  相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存,因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復(fù)原性更好,能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
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相變存儲器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

  • 相變存儲器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求: 容量
    C 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢,所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長,數(shù)據(jù)增長速率甚至更
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日立與瑞薩開發(fā)1.5V相變存儲模塊

  • 日立有限公司與瑞薩科技(Renesas)宣布,為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求,雙方共同開發(fā)出了運(yùn)行于1.5V電源電壓的512KB(相當(dāng)于4Mb)相變存儲模塊,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時(shí)間。利用以前開發(fā)的100μA(Micro[注1]安培)寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”,兩家公司在新模塊中開發(fā)了一種可以實(shí)現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。      日立和瑞薩以前開發(fā)過一種低功耗操作相變存儲器,它在界面層使用了
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