相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：

容量
C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更快。
帶寬和能耗
C 在應用高度融合的電子系統(tǒng)中，為了加快上網(wǎng)速度，采用帶寬衡量系統(tǒng)性能；為了增強產(chǎn)品的移動使用性，采用功耗評價系統(tǒng)性能。存儲器設計必須支持市場對擴大帶寬和降低功耗的日益增長的需求。非易失性固態(tài)存儲器是降低功耗的最佳方法。
存儲器系統(tǒng)
C 為提高電子系統(tǒng)的總體性能，設計人員越來越關注存儲器系統(tǒng)的容量、技術性能、封裝和接口等參數(shù)。
緩存
C “存儲器系統(tǒng)”概念不支持根據(jù)技術給存儲器分類，而支持根據(jù)最終設備的帶寬需求給存儲器分類，從而在克服存儲器技術上存在的設計難題，通過暫時保留并優(yōu)化組合不同的存儲器技術，以降低產(chǎn)品的成本，提升系統(tǒng)性能。

帶寬分類
從較高層次上說，我們可以考慮三大帶寬類別：代碼、數(shù)據(jù)流和數(shù)據(jù)存儲。

代碼
C 讀取速度是決定代碼執(zhí)行性能的主要因素。當采用下列模式之一時，代碼執(zhí)行性能取決于執(zhí)行速度：片內(nèi)執(zhí)行(XIP)：采用NOR閃存需要大帶寬，隨機讀取速度快；存儲和下載(SD)：采用NAND+DRAM存儲器。SD是容量大于1Gb的代碼存儲應用廣泛采用的方法。
數(shù)據(jù)流
C 影響數(shù)據(jù)流性能的主要因素是寫入速度。數(shù)據(jù)流通常采用DRAM技術，但是，容量4GB大于的可以采用NAND+DRAM的方法，主要用于提高容量和降低功耗。
數(shù)據(jù)存儲
C 影響數(shù)據(jù)存儲性能的主要因素是存儲器容量和數(shù)據(jù)保存年限。然而，由于存儲器容量正以冪指數(shù)的速率增長，不同的系統(tǒng)組件之間的延時可能會對存儲器子系統(tǒng)的性能構成很大的影響。容量在100GB以下或?qū)π阅苡泻芨叩囊髸r，數(shù)據(jù)存儲通常采用NAND閃存。

圖1 C 高密存儲器技術概況

PCM升級能力
硫系 (PCM)薄膜至少在三個方面的應用證明，能夠把PCM存儲單元至少升級到5nm節(jié)點。PCM技術升級面臨的主要挑戰(zhàn)是開關元器件的升級。因為硫系薄膜材料的狀態(tài)控制方法的研究和改進，PCM耐讀寫能力和寫入速度預計在近期內(nèi)會有大幅提升。隨著制程向最先進的光刻技術節(jié)點進軍，PCM的每位成本和寫入性能可望取得巨大進步，因為存儲單元在這些技術節(jié)點可以變得更小。

PCM在嵌入式系統(tǒng)
在嵌入式系統(tǒng)中，PCM通常用于存儲數(shù)據(jù)。對存儲容量要求較低的系統(tǒng)，容量通常小于大約2Gb，在設計上直接從NOR閃存執(zhí)行代碼。在嵌入式系統(tǒng)中，這種存儲器通常還用于保存系統(tǒng)文件。這類系統(tǒng)通常使用DRAM充當進程暫存器。
在這類系統(tǒng)中，PCM可用作代碼執(zhí)行存儲器，因為是一個位可擦除的存儲器，PCM能夠替代系統(tǒng)所需的某些DRAM。
在“存儲和下載存”儲器系統(tǒng)中，PCM可以降低對DRAM的容量要求，同時還可滿足對NAND的容量需求。同時，在這類系統(tǒng)中使用PCM存儲器可以簡化被保存在同一存儲器中的文件系統(tǒng)，并提高文件系統(tǒng)性能。

圖2 C SnD和XiP系統(tǒng)架構