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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 相變存儲(chǔ)器

新存儲(chǔ)設(shè)備,替代DRAM和NAND

  • 韓國(guó)研究人員團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新型存儲(chǔ)設(shè)備,該設(shè)備可用于取代現(xiàn)有內(nèi)存或用于實(shí)現(xiàn)下一代人工智能硬件的神經(jīng)擬態(tài)計(jì)算。
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相變存儲(chǔ)器的工作原理和最新的研究進(jìn)展

  •   近年來,非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展,為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來了新的契機(jī),采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)展?! ∫弧⑾嘧兇鎯?chǔ)器的工作原理  相變存儲(chǔ)器(Phase Change Random Access Memory, 簡(jiǎn)稱PCRAM)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,相變存儲(chǔ)器的
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帶你了解一下什么叫相變存儲(chǔ)器

  •   近年來,非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展,為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來了新的契機(jī),采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)展?! ∫?、相變存儲(chǔ)器的工作原理  相變存儲(chǔ)器(Phase Change Random Access Memory, 簡(jiǎn)稱PCRAM)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,相變存儲(chǔ)器的
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國(guó)產(chǎn)相變存儲(chǔ)器開啟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

  • 潛心相變存儲(chǔ)器研究15年,中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團(tuán)隊(duì)在130納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)相變存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來,通過和珠海艾派克微電子有
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國(guó)產(chǎn)相變存儲(chǔ)器如何開啟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用?

  • 潛心相變存儲(chǔ)器研究15年,中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團(tuán)隊(duì)在130納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)相變存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來,通過和珠海艾派克微電子有
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0.7納秒!相變存儲(chǔ)器速度新極限

  •   隨著數(shù)字全球化,爆炸式增長(zhǎng)的信息對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn),而且目前商用計(jì)算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲(chǔ)部件,即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大,其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲(chǔ)密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點(diǎn)的新式通用式存儲(chǔ)介質(zhì)勢(shì)在必行。        近日,美國(guó)Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)基礎(chǔ)

  • 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在,這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲(chǔ)器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進(jìn)行工作的。本文將介紹相變存儲(chǔ)器的基本技術(shù)與功能。
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相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理,設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路,整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì),并采用中芯國(guó)際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)。
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PCM是什么

  •   導(dǎo)讀:PCM是什么?其實(shí)就是變相存儲(chǔ),初次聽到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì)感到比較陌生吧,想了解更多姿勢(shì)的朋友們快來看看吧。 1.PCM是什么--簡(jiǎn)介   PCM是Phase Change Memory的簡(jiǎn)稱,中文名稱為相變存儲(chǔ)器,它利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。PCM是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在,這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲(chǔ)器便是利用特殊材料在不同相間的電
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寧波鄞州欲打造成“中國(guó)芯片之城”

  •   近日,浙江省寧波市鄞州區(qū)投資約20億美元成功引進(jìn)簽約美國(guó)全芯科技有限公司相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目,致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售具有完整知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片,建成后預(yù)計(jì)年?duì)I收可達(dá)數(shù)十億元人民幣,并有望助推該區(qū)打造成“中國(guó)芯片之城”。   該項(xiàng)目是通過鄞州區(qū)一事一議招引渠道引進(jìn)的。據(jù)悉,鄞州區(qū)為提高招才引智和招商引資效率,特設(shè)一事一議招引渠道,先后引進(jìn)了一批高端人才項(xiàng)目。除一系列的配套優(yōu)惠政策之外,在項(xiàng)目資金扶持方面合計(jì)投入近4500萬(wàn)元。
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相變存儲(chǔ)器:基本原理與測(cè)量技術(shù)

  • 相變存儲(chǔ)器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來代替閃存,因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多,更容易縮小到較小尺寸,而且復(fù)原性更好,能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
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相變存儲(chǔ)器PCM應(yīng)用智能電表設(shè)計(jì)方案

  • 5月初,美光斥資12億美元收購(gòu)恒憶,完成收購(gòu)后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對(duì)于這么大的收購(gòu)舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因?yàn)槿堑目焖籴绕?,不想一家?dú)大的局面在存
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IBM研發(fā)出最新多位相變存儲(chǔ)器 提高了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性

  • IBM的科學(xué)家演示了最新的多位相變存儲(chǔ)器,其每個(gè)存儲(chǔ)格都能長(zhǎng)時(shí)間可靠地存儲(chǔ)多個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。最新技術(shù)讓...
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智能電表設(shè)計(jì)中如何應(yīng)用相變存儲(chǔ)器PCM

  • 5月初,美光斥資12億美元收購(gòu)恒憶,完成收購(gòu)后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。對(duì)于這么大的收購(gòu)舉動(dòng),有傳言,是英特爾在后面起到的推動(dòng)作用,因?yàn)槿堑目焖籴绕?,不想一家?dú)大的局面在存
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我國(guó)研制成功相變存儲(chǔ)器芯片

  •   我國(guó)第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相變存儲(chǔ)器(PCRAM)芯片在中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研制成功,打破了存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷的局面,產(chǎn)業(yè)化前景可觀。   
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相變存儲(chǔ)器介紹

相變存儲(chǔ)器(phase change memory),簡(jiǎn)稱PCM,利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大 的導(dǎo)電性差異來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。 相變存儲(chǔ)器-物理變化 初次聽到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì)感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相),液態(tài)水(液相)以及固態(tài)水 [ 查看詳細(xì) ]

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