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我國研制成功相變存儲器芯片

—— 打破了存儲器芯片技術(shù)國外壟斷局面
作者: 時間:2011-04-19 來源:CSIA 收藏

  我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的(PCRAM)芯片在中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研制成功,打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面,產(chǎn)業(yè)化前景可觀。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/118791.htm

  據(jù)專家介紹,此款PCRAM芯片將可取代傳統(tǒng)存儲器,廣泛應(yīng)用于手機(jī)存儲、等多種消費型電子產(chǎn)品中。

  我國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模目前已接近1800億元,但由于長期缺乏具有自主知識產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù),國內(nèi)存儲器生產(chǎn)成本極為高昂。該款PCRAM預(yù)計將于今年年內(nèi)投入量產(chǎn)。



關(guān)鍵詞: 相變存儲器 射頻識別

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