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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 砷化鎵

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機(jī)”夢受阻

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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NEC電子推出業(yè)界最小的小型薄型砷化鎵(GaAs)開關(guān)IC

  • NEC電子日前完成了用于進(jìn)行高速無線通信的便攜式設(shè)備、筆記本電腦、終端設(shè)備（terminal）的小型薄型高頻砷化鎵(GaAs)開關(guān)IC--“μPG2176T5N”的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售該產(chǎn)品的樣品。 新產(chǎn)品是建立無線通信規(guī)格—移動WiMAX系統(tǒng)時必不可缺的切換開關(guān)芯片，它主要負(fù)責(zé)收發(fā)數(shù)據(jù)切換及天線切換。該產(chǎn)品被封裝在長1.5mm、寬1.5mm、高0.37mm的業(yè)界最小的超小型?薄型封裝內(nèi)，其封裝面積約為與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品的25%，厚度約為50%，實現(xiàn)了小型、薄型化。此外，新產(chǎn)品還具有高頻信號輸出
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ANADIGICS與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)共建砷化鎵晶圓制造廠

  • 　　ANADIGICS一家無線及寬帶通訊綜合方案供應(yīng)商，宣布其已與昆山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)（KSND）簽訂了投資合同，共同在中國江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進(jìn)的六英吋（6"）砷化鎵（GaAs）集成電路（IC）晶圓制造廠，其目的是在新澤西州沃倫市該公司主要的晶圓制造廠以外擴(kuò)大晶圓生產(chǎn)的能力。 　　預(yù)計 ANADIGICS, Inc. 將從2007年第四季度起的兩年內(nèi)，包括2009年第一季度的初級生產(chǎn)階段，出資約一千萬至一千五百萬美元。ANADIGICS, Inc. 在該廠的存
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2002年11月，我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實現(xiàn)零突破

  • 　　2002年11月，中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶，實現(xiàn)了我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
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砷化鎵介紹

砷化鎵（英文名稱為Gallium arsenide，化學(xué)式為GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導(dǎo)體材料，被用來制作像微波集成電路（例如單晶微波集成電路( MMIC)）、紅外線發(fā)光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。 砷化鎵的優(yōu)點(diǎn) GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子移動率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaA [ 查看詳細(xì) ]

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