硅基氮化鎵 文章 進(jìn)入硅基氮化鎵技術(shù)社區(qū)
硅基氮化鎵晶圓搭配半導(dǎo)體技術(shù),ALLOS將掀起Micro LED產(chǎn)業(yè)革命|LEDinside訪談
- 能達(dá)到高分辨率、高對(duì)比度、高亮度顯示效果的Micro LED顯示器,早在2012年就已經(jīng)出現(xiàn)初代樣品,但受限于超高難度的制造過程,至今仍被業(yè)界視為「夢(mèng)幻級(jí)產(chǎn)品」。近年來,在大廠領(lǐng)軍推動(dòng)下,雖然已經(jīng)有愈來愈多的樣品持續(xù)現(xiàn)蹤,不過要真正進(jìn)入到市場消費(fèi)端,根據(jù)業(yè)內(nèi)人士推估,還要至少3年以上的時(shí)間。為突破Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展,勢(shì)必得解決巨量轉(zhuǎn)移制程這個(gè)大難關(guān)。目前已經(jīng)有許多技術(shù)單位開發(fā)出不同取向的轉(zhuǎn)移方式,包括轉(zhuǎn)印、流體組裝、噴墨打印等等,但這些方法在后續(xù)的Micro LED芯片處理過程中,
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意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(那斯達(dá)克股票代碼:MTSI」)宣布,已成功制造出射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片。有鑒于此佳績,意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作,并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。早期世代的射頻功率放大器(Power Amplifier,PA)主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally-Diffused Metal
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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
- 5月13日,意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器,GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外,它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對(duì)SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工,RF GaN-on-SiC可能會(huì)更昂貴。目前,意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1
- 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果,工藝技術(shù)將會(huì)從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線,2020年前投入運(yùn)營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破
- 產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo),現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測試階段實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI,以下簡稱“MACOM”) 宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?;谶@一成果,意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手,深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 英諾賽科(珠海)科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產(chǎn)儀式。據(jù)悉,這是中國首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。由于高溫環(huán)境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時(shí)受熱錯(cuò)配應(yīng)力的驅(qū)動(dòng)下,容易發(fā)生破裂或翹曲,成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙,英諾賽科采取獨(dú)有技術(shù)解決了這一挑戰(zhàn),將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進(jìn)到8英寸。 英諾賽科董事長駱薇薇表示:“經(jīng)過2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線,并成功量產(chǎn),添補(bǔ)了我國在這一領(lǐng)域的空白。這既是一個(gè)里程碑也是一個(gè)新的起點(diǎn)。公司將繼續(xù)在技術(shù)前沿
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MACOM:用LDMOS的成本架構(gòu)提供硅基氮化鎵的性能
- 近日,MACOM通過收購AMCC(Applied?Micro?Circuits?Corporation),進(jìn)一步拓展了其在混合電路(ADC/DAC)及數(shù)字電路(DSP)方面的能力,使得MACOM成為一家可以從數(shù)字芯片技術(shù)到光的封裝整套解決方案的供應(yīng)商。此次收購除了拓展了MACOM的產(chǎn)品和技術(shù)外,也進(jìn)一步拓展了其服務(wù)的市場和客戶群,并使MACOM進(jìn)入云和數(shù)據(jù)中心前端的應(yīng)用數(shù)據(jù)支持。 MACOM是一家高性能模擬射頻、微博、毫米波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域的供應(yīng)商做射頻和微波領(lǐng)域。
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HIS:硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額
- 據(jù)外媒EETasia報(bào)道,統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達(dá)到40%,目前該種LED市場占有率僅為1% 硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額 據(jù)HIS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復(fù)合年滲透增長率將會(huì)達(dá)到69%,屆時(shí)40%的氮化鎵LED將會(huì)以此工藝制造。今年95%的氮化鎵LED由藍(lán)寶石晶片制造,僅1%采用硅晶。硅基氮化鎵在2013-2020年間的增長將會(huì)攫取藍(lán)寶石及碳化硅晶片的市場份額。
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硅基氮化鎵介紹
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