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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

作者: 時間:2022-06-14 來源: 收藏

 513日,MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻RF GaN-on-Si)原型。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202206/435159.htm


RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器,GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。


此外,它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工,RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。


目前,和MACOM已經(jīng)開始進一步研究以加快向市場交付先進射頻GaN-on-Si產(chǎn)品的速度。


功率晶體管子集團總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁EdoardoMerli表示:“我們相信,該技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了性能水平和工藝成熟度,可以有效地挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC,我們可以為包括無線基礎(chǔ)設(shè)施、商業(yè)化在內(nèi)的大批量應(yīng)用提供成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢,將RF GaN-on-Si產(chǎn)品商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要里程碑?!?/span>


意法半導(dǎo)體和MACOM的合作早有淵源。


2018年2月,MACOM和意法半導(dǎo)體宣布一份硅上氮化鎵GaN合作開發(fā)協(xié)議。意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻芯片。


2019年3月,MACOM和意法半導(dǎo)體(ST)宣布在2019年擴大ST工廠在150mm的產(chǎn)能,而200mm的依需求擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支援全球5G電信網(wǎng)建設(shè),其基于2018年初MACOM和ST所宣布達(dá)成的硅基氮化鎵協(xié)議。


日前,意法半導(dǎo)體發(fā)布了2022年第一季度財報。報告期內(nèi),公司凈營收為35.5億美元(約合人民幣238.68億元),年增17.6%,毛利率為46.7%,年增770個基點,凈利潤7.47億美元(約合人民幣50.22億元),年增105.1%。

 

 

公司表示,Q2有望實現(xiàn)營收37.5億美元,環(huán)比增長5.8%,毛利率約46%。全年營收有望達(dá)148億-153億美元。




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