硅納米線陣列 文章 進(jìn)入硅納米線陣列技術(shù)社區(qū)

我國(guó)在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光研究中取得新進(jìn)展

• 　　近期，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI材料與器件課題組在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光方面取得新進(jìn)展。課題組研究人員將SOI與表面等離子體技術(shù)相結(jié)合，研究了硅納米線陣列的發(fā)光性能，并且與復(fù)旦大學(xué)合作借助時(shí)域有限差分法(FDTD)理論計(jì)算了硅納米線發(fā)光峰位與納米腔共振模式的對(duì)應(yīng)關(guān)系，為實(shí)現(xiàn)硅基光電集成奠定了實(shí)驗(yàn)與理論基礎(chǔ)，有助于推動(dòng)硅基光源的大規(guī)模應(yīng)用。相關(guān)研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedde
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