我國(guó)在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光研究中取得新進(jìn)展
近期,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI材料與器件課題組在硅納米線陣列寬光譜發(fā)光方面取得新進(jìn)展。課題組研究人員將SOI與表面等離子體技術(shù)相結(jié)合,研究了硅納米線陣列的發(fā)光性能,并且與復(fù)旦大學(xué)合作借助時(shí)域有限差分法(FDTD)理論計(jì)算了硅納米線發(fā)光峰位與納米腔共振模式的對(duì)應(yīng)關(guān)系,為實(shí)現(xiàn)硅基光電集成奠定了實(shí)驗(yàn)與理論基礎(chǔ),有助于推動(dòng)硅基光源的大規(guī)模應(yīng)用。相關(guān)研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-EmbeddedSilicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength 為題于近期發(fā)表在《納米快報(bào)》(Nano Lett., 2017, 17 (3), pp1552-1558)上。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201703/345167.htmSi作為微電子工業(yè)領(lǐng)域最重要的基石,在集成電路發(fā)展中起到了至關(guān)重要的作用。但是隨著器件尺寸越來(lái)越小,過(guò)高的互連和集成度帶來(lái)了信號(hào)延遲和器件過(guò)熱的問(wèn)題,給以大規(guī)模集成電路為代表的微電子工業(yè)的持續(xù)發(fā)展帶來(lái)了很大的挑戰(zhàn),而硅基光電子集成則是解決這一難題的理想途徑。然而將兩種截然不同的技術(shù)(電子學(xué)與光子學(xué))集成在同一片硅片上,最大的挑戰(zhàn)是光源的問(wèn)題。對(duì)于發(fā)光器件,目前大量的研究集中在GaAs,InGaAs等直接帶隙半導(dǎo)體。但是目前為止實(shí)現(xiàn)III-V族等直接帶隙半導(dǎo)體材料與硅基集成還存在巨大的阻礙。然而,硅由于其間接帶隙結(jié)構(gòu)使得其發(fā)光效率極低,無(wú)法實(shí)現(xiàn)光的有效發(fā)射。SOI課題組母志強(qiáng)、狄增峰、王曦等研究人員將SOI技術(shù)與表面等離子激元技術(shù)相結(jié)合,通過(guò)將硅納米線加工成類梯形結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了類梯形結(jié)構(gòu)納米共振腔增強(qiáng)的硅納米線陣列的發(fā)光增強(qiáng)。通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn)與FDTD計(jì)算結(jié)果,發(fā)現(xiàn)了納米線陣列的發(fā)光峰位與納米腔共振模式的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。并且通過(guò)制備尺寸漸變的硅納米線陣列,實(shí)現(xiàn)了硅納米線陣列發(fā)光峰位在可見以及近紅外區(qū)域的連續(xù)可調(diào)。這不僅為硅基光源開辟了一條新的途徑,而且將有力推動(dòng)硅基光電集成的發(fā)展。
該工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新研究群體、優(yōu)秀青年基金、中科院高遷移率材料創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)等相關(guān)研究計(jì)劃的支持。
評(píng)論