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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅芯片

歐美科學(xué)家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破

  • 　　一個由歐、美兩地研究人員所組成的團(tuán)隊(duì)，讓達(dá)到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò)信息流量獲得緩解之道。 　　該研究團(tuán)隊(duì)成員分別來自瑞士ETH大學(xué)、比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC、美國Lehigh大學(xué)，以及德國Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(dǎo)(opticalwaveguide)架構(gòu)。 　　由于在這類組件中，光子信號不必再轉(zhuǎn)換成電子信號，因此被視為是達(dá)成全光學(xué)信號傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達(dá)成這個目標(biāo)，研究人員采用S
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東洋紡開發(fā)出線膨脹系數(shù)與硅芯片相同薄膜

  • 東洋紡在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，東京有明國際會展中心）上，展出了線膨脹系數(shù)與硅芯片相同的聚酰亞胺薄膜“Zenomax”。  原來的聚酰亞胺薄膜的線膨脹系數(shù)為20～30ppm/℃，而新開發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導(dǎo)致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生，東洋紡認(rèn)為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。  Zenomax還具有高耐熱性特點(diǎn)。原來的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開發(fā)的產(chǎn)品為500℃。&nb
  • 關(guān)鍵字： 東洋紡  硅芯片  聚酰亞胺薄膜  

TI EPC Gen2硅芯片技術(shù)助力RFID標(biāo)簽性能

  • 　　日前，Sontec 公司宣布推出多款采用德州儀器EPC Gen 2 IC 芯片的貼裝金屬標(biāo)簽與針對金屬的 RFID 應(yīng)答器。 　　   　　根據(jù)當(dāng)前 TI 與 Sontec 達(dá)成的協(xié)議，TI 將向 Sontec 提供 1,000 萬片射頻識別 (RFID) Gen 2 芯片，
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硅芯片介紹

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