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東洋紡開發(fā)出線膨脹系數(shù)與硅芯片相同薄膜

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作者: 時間:2007-06-08 來源:技術(shù)在線 收藏
在“JPCAShow2007”(2007年5月30日~6月1日,東京有明國際會展中心)上,展出了線膨脹系數(shù)與相同的“Zenomax”。  

原來的的線膨脹系數(shù)為20~30ppm/℃,而新開發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同,僅為3ppm/℃。因此,由溫度變化導(dǎo)致的與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生,認(rèn)為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。  

Zenomax還具有高耐熱性特點。原來的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃,而此次開發(fā)的產(chǎn)品為500℃。 

該薄膜是通過將該公司的核心技術(shù)——耐熱聚合物合成技術(shù)與薄膜制膜技術(shù)的相互融合實現(xiàn)的。為了實現(xiàn)與相同的線膨脹系數(shù),通過對單體材料實施某種特殊處理進(jìn)行了聚合??芍圃斓谋∧ず穸仍?μm以上。 

開發(fā)產(chǎn)品的目標(biāo)是替代積層多層板、新一代半導(dǎo)體封裝的絕緣材料,乃至陶瓷底板。另外,認(rèn)為,此次的薄膜還可應(yīng)用于配備有加熱器的底板等在高溫下使用的底板。該公司打算在1~2年內(nèi)向市場投放產(chǎn)品。


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