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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅襯底

硅襯底完敗藍寶石襯底，芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣？

  • 硅襯底完敗藍寶石襯底，芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣？-芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠大于芯片發(fā)光面積，導致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料
  • 關鍵字： 芯片  藍寶石襯底  硅襯底  

國家重點支持的高新技術領域：硅襯底和OLED照明材料登榜！

  • 　　為加大對科技型企業(yè)特別是中小企業(yè)的政策扶持，有力推動大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新，培育創(chuàng)造新技術、新業(yè)態(tài)和提供新供給的生力軍，促進解決升級發(fā)展，科技部、財政部、國家稅務總局對《高新技術企業(yè)認定管理辦法》進行了修訂完善。 　　文中指出，本辦法所稱的高新技術企業(yè)是指：在《國家重點支持的高新技術領域》內(nèi)，持續(xù)進行研究開發(fā)與技術成果轉(zhuǎn)化，形成企業(yè)核心自主知識產(chǎn)權，并以此為基礎開展經(jīng)營活動，在中國境內(nèi)(不包括港、澳、臺地區(qū))注冊的居民企業(yè)。 　　根據(jù)科技部網(wǎng)站公布的消息，國家重點支持的高新技術領域： 　　一、電子信
  • 關鍵字： 硅襯底  OLED  

基于不同基板1W硅襯底藍光LED老化性能研究

  • GaN材料自20世紀90年代以來逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領域廣泛應用，已形成巨大的市場。到目前為止，...
  • 關鍵字： 硅襯底  藍光LED  

由東芝投資普瑞光電制造出8英寸硅襯底的LED

  • 　　雖然東芝和普瑞光電合作僅數(shù)月，他們已經(jīng)對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質(zhì)的GaN，所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V，電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。 　　合作中，東芝除了提供自己先進的硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術的研發(fā)支持外，東芝還對普瑞光電進行了股權投資，看好普瑞在固態(tài)照明領域的技術創(chuàng)新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。 　　雖然東芝和普瑞光電合作僅數(shù)月，他們已經(jīng)對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質(zhì)的GaN，所得LED芯片大小為1.1
  • 關鍵字： 東芝  硅襯底  

硅襯底，躋身主流待何時？

  • 　　襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀錄，達到254lm/W。一面是硅襯底這條新技術路線研發(fā)取得突破性進展的消息時有爆出，一面是SiC襯底芯片光效的快速提升，而藍寶石襯底也因產(chǎn)能過剩價格低至谷底而備顯競爭力。面對新技術的快速發(fā)展和老技術的不斷突破，如今，SiC、藍寶石、硅這三種不同的襯底技術路線，哪種在成本和
  • 關鍵字： 硅襯底  LED  

晶能光電：硅襯底LED芯片產(chǎn)業(yè)化初見成效

  • 晶能光電先后推出了2類4種規(guī)格的硅襯底LED芯片，年產(chǎn)能達到30億粒(小芯片)。“在氮化鎵基半導體發(fā)光材料領...
  • 關鍵字： 晶能光電  硅襯底  LED  芯片產(chǎn)業(yè)  

Bridgelux公司將重心轉(zhuǎn)移至硅襯底LED制造

  • 　　近日，美國LED芯片制造商Bridgelux公司首席執(zhí)行官Bill Watkins透露，該公司決定將重心從藍寶石襯底LED制造轉(zhuǎn)移至成本更低的硅襯底LED制造，并計劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名，約五分之一，預估生產(chǎn)方式的轉(zhuǎn)移將使公司生產(chǎn)成本降低75%。 　　此外，Bridgelux公司期望在18個月內(nèi)將硅襯底LED投入量產(chǎn)。目前正與一家亞洲公司商談成立合資公司來從事新一代LED的海外制造。 　　Bridgelux迄今為止總共募集了1.8億美元的風投資金。2010年，Bridg
  • 關鍵字： LED芯片  硅襯底  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

  • 　　近日，韓國三星尖端技術研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc ?K465i? MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設備。 　　對此，Veeco的化合物半導體業(yè)務執(zhí)行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵，并商品化這項技術用于大批量制造氮化鎵功率器件，我們認為是巨大的戰(zhàn)略研發(fā)上的勝利。” 　　
  • 關鍵字： 三星  硅襯底  
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硅襯底介紹

　　硅襯底是目前價格最便宜，可獲得尺寸最大，器件工藝較成熟的半導體材料，用硅材料制備光電子器件,從而使成熟的硅集成電路工藝與IV—族,IⅥ族光電一子器件的光電特性結(jié)合在一起,發(fā)揮材料的各自優(yōu)勢,巳成為較活躍,有吸引力的研究領富域.　　硅具有Fd3m空間群的金剛石結(jié)構(gòu)，屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。　　圖1.6.1是從硅晶胞方向的透視圖，硅的室溫物理 [ 查看詳細 ]

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