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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅信號(hào)

有效測(cè)量碳化硅信號(hào)

  • 碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級(jí)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新選擇。碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可
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碳化硅信號(hào)介紹

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