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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 窄脈沖

摘要：在大功率風(fēng)機(jī)變流器中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的工作可靠性對(duì)整個(gè)風(fēng)電機(jī)組的安全運(yùn)行有著直接影響。分析了驅(qū)動(dòng)窄脈沖對(duì)風(fēng)機(jī)變流器IGBT可靠運(yùn)行的危害，并從理論上闡述了空間矢量調(diào)制(SVM)中窄脈沖出現(xiàn)的原理
關(guān)鍵字：變流器風(fēng)機(jī) 絕緣柵雙極型晶體管窄脈沖

文中介紹的就是一種以三個(gè)芯片級(jí)聯(lián)而成的差分運(yùn)算放大器，該運(yùn)放能實(shí)現(xiàn)窄脈沖小信號(hào)放大，脈沖的上升沿可以達(dá)到 ...
關(guān)鍵字：窄脈沖小信號(hào) 運(yùn)算放大電路

電路的功能“6-6”介紹的峰值保持電路，其OP放大器A1的轉(zhuǎn)換速度高，驅(qū)動(dòng)電流大，但當(dāng)CH的容量較大時(shí)，須要較長(zhǎng)的充電時(shí)間，難以實(shí)現(xiàn)高速保持。本電路的反饋形式與前節(jié)介紹的基本相同，只是在元件選擇和CR參
關(guān)鍵字：窄脈沖峰值保持電路分析原理

摘要：文中設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)窄脈沖小信號(hào)運(yùn)放電路。在文章的開始首先介紹了運(yùn)放的使用背景以及這次設(shè)計(jì)的目的，然后介紹了設(shè)計(jì)思路和具體的電路實(shí)現(xiàn)，最后對(duì)該運(yùn)放進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試表明該運(yùn)放能夠?qū)ι仙貫?0ns的窄脈
關(guān)鍵字：窄脈沖小信號(hào) 運(yùn)算放大電路

電路的功能“6-6”介紹的峰值保持電路，其OP放大器A1的轉(zhuǎn)換速度高，驅(qū)動(dòng)電流大，但當(dāng)CH的容量較大時(shí)，須要較長(zhǎng)的充電時(shí)間，難以實(shí)現(xiàn)高速保持。本電路的反饋形式與前節(jié)介紹的基本相同，只是在元件選擇和CR參數(shù)的確定方
關(guān)鍵字：窄脈沖峰值保持電路

　　摘要：本文給出了一個(gè)基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片實(shí)現(xiàn)的超寬帶窄脈沖發(fā)射電路及測(cè)試結(jié)果，通過超低功耗單片機(jī)MSP430F123控制超寬帶脈沖發(fā)射機(jī)芯片，可實(shí)現(xiàn)高速率數(shù)據(jù)的無(wú)線發(fā)射，所采用的超寬帶發(fā)射機(jī)芯片基于0.18mm CMOS工藝設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，能夠以0~800Mpps的脈沖重復(fù)頻率產(chǎn)生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號(hào)，經(jīng)過脈沖整形電路后，信號(hào)的頻譜在500MHz~1.5GHz之間，發(fā)射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。　　關(guān)鍵詞：超寬帶;窄脈沖;射頻標(biāo)簽;無(wú)線通信芯片　　前言　　超寬帶
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 超寬帶窄脈沖射頻標(biāo)簽 IC 制造制程

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