首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 結(jié)電容

結(jié)電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析

  • 摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過程的機(jī)理并推導(dǎo) 了數(shù)學(xué)模型，表明了MOSFET關(guān)斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真結(jié)果對數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了驗證；設(shè)計了雙脈沖實(shí)驗，實(shí)驗結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。研究結(jié)論有助于 器件設(shè)計優(yōu)化和應(yīng)用改善。關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結(jié)電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
  • 關(guān)鍵字： 202210  關(guān)斷特性  結(jié)電容  Spice模型  雙脈沖  

IGBT失效 都是變壓器結(jié)電容惹的禍

  • 隨著人們對電源及電子設(shè)備的功能要求越來越高，為各種設(shè)備提供電源時需要進(jìn)行的改動就越來越多。IGBT就是其中一種，然而在實(shí)際的設(shè)計過程中，很多朋友
  • 關(guān)鍵字： IGBT  結(jié)電容  電源  
共2條 1/1 1

結(jié)電容介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條結(jié)電容!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對結(jié)電容的理解，并與今后在此搜索結(jié)電容的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473