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肖特基勢(shì)壘文章進(jìn)入肖特基勢(shì)壘技術(shù)社區(qū)

安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏肖特基勢(shì)壘二極管

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。　　這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA，其中后者是業(yè)界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來(lái)越多空間受限的應(yīng)用解決問(wèn)題，例如手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等。　　安森美半導(dǎo)體小信號(hào)產(chǎn)品分部總監(jiān)
關(guān)鍵字：安森美二極管肖特基勢(shì)壘

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肖特基勢(shì)壘介紹

　　1肖特基勢(shì)壘　　金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域.金屬-半導(dǎo)體作為一個(gè)整體在熱平衡時(shí)有同樣費(fèi)米能級(jí).由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢(shì)壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢(shì)壘阻擋.在加正向偏置時(shí)半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘下降;相反,在加反向偏置時(shí),半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘增高.使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬-半導(dǎo)體接觸均如此.如果對(duì)于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對(duì)于N型半導(dǎo) [ 查看詳細(xì) ]

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安森美半導(dǎo)體推出4款新的30伏肖特基勢(shì)壘二極管

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