肖特基勢壘二極管文章進(jìn)入肖特基勢壘二極管技術(shù)社區(qū)

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現(xiàn)有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動(dòng)?！　∵@些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時(shí)開關(guān)損耗指標(biāo)“RON?*?Qc”?[1]降低了大約30%，這使它們適合應(yīng)用于高效功率因數(shù)校正(PFC)方案中
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肖特基勢壘二極管介紹

肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode），又稱為金屬-半導(dǎo)體二極管,是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。SBD用某些金屬和半導(dǎo)體相接觸，在它們的交界面處便會(huì)形成一個(gè)勢壘區(qū)（通常稱為“表面勢壘”或“肖特基勢壘”），產(chǎn)生整流，檢波作用。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的 [ 查看詳細(xì) ]

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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

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