東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現(xiàn)有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管出貨即日啟動(dòng)。

　　這些新的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時(shí)開關(guān)損耗指標(biāo)“RON * Qc” [1]降低了大約30%，這使它們適合應(yīng)用于高效功率因數(shù)校正(PFC)方案中。

　　這些新產(chǎn)品提供4A、6A、8A和10A 4種額定電流，支持非絕緣型“TO-220-2L”封裝或絕緣型“TO-220F-2L”封裝。這些產(chǎn)品有助于提高4K大屏幕液晶電視、投影機(jī)和多功能復(fù)印機(jī)等裝置以及通信基站和電腦服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的電源效率。

　　新碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的產(chǎn)品陣容及主要規(guī)格：

　　注[1] RON：陰陽極導(dǎo)通電阻，Qc：總電容電荷