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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 能帶

一個高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

  • 摘 要:設(shè)計一種適用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)電壓源。該電路采用一種新型二階曲率補償電路改善輸出電壓的溫度特性;采用高增益反饋回路提高電路的電源電壓抑制能力。結(jié)果表明,電路溫度系數(shù)為3.3 ppm/℃,在電源
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能帶介紹

在形成分子時,原子軌道構(gòu)成具有分立能級的分子軌道。晶體是由大量的原子有序堆積而成的。由原子軌道所構(gòu)成的分子軌道的數(shù)量非常之大,以至于可以將所形成的分子軌道的能級看成是準(zhǔn)連續(xù)的,即形成了能帶。在0K時電子在能帶中所占據(jù)的最高充填能級稱為費米能級。固體的能帶可以用能態(tài)密度表示,它表示了在單位能量間隔內(nèi)電子狀態(tài)的數(shù)目。能態(tài)密度為零的區(qū)間稱為禁帶,最高完全占據(jù)的能帶稱做價帶,最低未完全占據(jù)的能帶稱做導(dǎo)帶。 [ 查看詳細(xì) ]

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