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高性能系統(tǒng)的氮化鎵熱分析

  • 本論文討論了Qorvo公司針對(duì)高性能微波GaN HEMT器件和MMIC采用的基于建模、實(shí)證測(cè)量(包括微區(qū)拉曼熱成像)和有限元分析(FEA)的綜合熱設(shè)計(jì)方法，該方法極為有效，且經(jīng)過(guò)實(shí)證檢驗(yàn)。通過(guò)適當(dāng)解決FEA的邊界條件假設(shè)和紅外顯微鏡的局限問(wèn)題，無(wú)論在產(chǎn)品還是最終應(yīng)用層面上，所得到的模型計(jì)算結(jié)果都比基于較低功率密度技術(shù)的傳統(tǒng)方法的精度更高。
  • 關(guān)鍵字： 熱建模  熱分析  芯片貼裝方法  Qorvo公司  201601  
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芯片貼裝方法介紹

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