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英飛凌和南亞科技擴(kuò)大合作范圍

  • 2005年9月29日，北京訊——總部設(shè)在慕尼黑的英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）與總部設(shè)在臺(tái)灣桃園的南亞科技（NTC）今日宣布，雙方已簽署關(guān)于擴(kuò)大DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）開(kāi)發(fā)合作范圍的協(xié)議。協(xié)議規(guī)定自2005年9月起，雙方合作開(kāi)發(fā)用于300毫米晶圓制造的60納米先進(jìn)生產(chǎn)工藝。該項(xiàng)合作是對(duì)現(xiàn)有90納米和70納米生產(chǎn)工藝合作開(kāi)發(fā)的進(jìn)一步拓展，同時(shí)也將提高雙方在DRAM市場(chǎng)的地位。合作開(kāi)發(fā)的成本由雙方共同承擔(dān)。 雙方可在其各自工廠以及合資生產(chǎn)企業(yè)—華亞科技股份有限公司（Inotera 
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CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源

  • CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源　CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是英飛凌科技公司（Infineon）專(zhuān)門(mén)為計(jì)算機(jī)服務(wù)器，以及通信設(shè)備、平板顯示器等其他高功率密度應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。　　這種全新的CoolMOS CS服務(wù)器系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）成功跨越了所謂的“硅限制”，當(dāng)采用標(biāo)準(zhǔn)TO 220封裝時(shí)，導(dǎo)通電阻為99 mΩ（毫歐），采用標(biāo)準(zhǔn)TO 247封裝時(shí)，導(dǎo)通電阻為45 mΩ，均為業(yè)界最低值；英飛凌電源管理部和驅(qū)動(dòng)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理Fanny Dahlqu
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英飛凌科技公司介紹

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