CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源

CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應(yīng)用高端電源

　CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是英飛凌科技公司（Infineon）專門為計算機(jī)服務(wù)器，以及通信設(shè)備、平板顯示器等其他高功率密度應(yīng)用而設(shè)計的。
　　這種全新的CoolMOS CS服務(wù)器系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）成功跨越了所謂的“硅限制”，當(dāng)采用標(biāo)準(zhǔn)TO 220封裝時，導(dǎo)通電阻為99 mΩ（毫歐），采用標(biāo)準(zhǔn)TO 247封裝時，導(dǎo)通電阻為45 mΩ，均為業(yè)界最低值；英飛凌電源管理部和驅(qū)動技術(shù)市場經(jīng)理Fanny Dahlquist博士介紹說，理想的高壓開關(guān)MOSFET在導(dǎo)通時的導(dǎo)通電阻應(yīng)為零，相反，在截止?fàn)顟B(tài)下，它則應(yīng)阻斷無限高壓，防止任何電流通過。而實際上，這是不可能的。通常情況下，如果電壓隔離能力提高一倍，導(dǎo)通電阻就會增加四倍，這種物理規(guī)律通常被稱作硅限制。而英飛凌的研發(fā)人員卻通過高壓CoolMOS開關(guān)的巧妙設(shè)計，成功地克服了這一嚴(yán)重阻礙?！盀榱耸闺娮璞M量接近零，我們不斷增加器件的導(dǎo)電電荷，然后再用相同數(shù)量的反極性電荷平衡這些電荷。我們利用一種非常精確的技術(shù)使兩種不同電荷在器件中各居其位，最后就可以獲得一份具有精密溝槽的結(jié)構(gòu)。溝槽越精密，導(dǎo)通電阻越低。我們每開發(fā)一代CoolMOS新產(chǎn)品，都會提高溝槽的精密度，在不會降低耐壓能力的條件下使導(dǎo)通電阻更接近于零?！?Fanny Dahlquist博士說。
　　Fanny Dahlquist博士說，CoolMOS CS也是目前市場上速度最快的功率開關(guān)，其開關(guān)速度為每納秒150 V（伏特），耐壓能力為600 V。利用CS技術(shù)，英飛凌成功實現(xiàn)了多種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用電源解決方案的瘦身、功率密度提升和成本削減。CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是目前市場上唯一一種可實現(xiàn)最低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的MOSFET。與先前的CoolMOS C3系列相比，CS服務(wù)器系列可使功率密度提高到25W/inch³以上，并可進(jìn)一步實現(xiàn)輕載和滿載。英飛凌新推出的高壓功率MOSFET將使AC/DC電源更高效、更緊湊，使用也更方便。在當(dāng)今能源緊缺的大環(huán)境下，電源的智能高效使用是必須的。

　　不久前在上海舉辦的慕尼黑電子展上，本刊記者在英飛凌的展臺上，看到該公司展示的一種適用于服務(wù)器電源的1000 W參考設(shè)計，該設(shè)計僅采用了一個99 mΩ CoolMOS CS功率晶體管。與采用并聯(lián)兩個標(biāo)準(zhǔn)250mΩ MOSFET的類似電源相比，其效率可高出1.5個百分點，從而使系統(tǒng)的每瓦特成本降低了10個百分點。采用這種設(shè)計，設(shè)計師們就可以實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化了。此外，英飛凌還示范了1500 W的功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計，這種設(shè)計采用一個99 mΩ CoolMOS CS功率晶體管，效率高達(dá)99％。
　　據(jù)悉，雅達(dá)電源公司最近選定英飛凌的CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管作為其高端服務(wù)器應(yīng)用的電源系統(tǒng)解決方案。雅達(dá)電源是標(biāo)準(zhǔn)制定者、修訂者以及AC/DC和DC/DC電源領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，特別是英飛凌最新的CS技術(shù)應(yīng)用在雅達(dá)電源DS1300-3產(chǎn)品中，為其帶來了高效率和高功率密度。此款產(chǎn)品為AC到12VDC的大功率分布式開關(guān)電源，實現(xiàn)了12.6W/inch³的功率密度。